賽靈思（Xilinx）今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，擁有多達350億個晶體管，密度在同類產品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。
2019-08-22 16:04:39
11761 其實早在2002年Intel即發現了這一技術，一直處于試驗演示階段，現在終于把它變成了現實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數量將達到10億。
2020-04-07 09:01:21
。 8050晶體管及其等效的8550晶體管設計用于低功耗推挽放大器應用中的互補晶體管對。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發射極電流為1.5安培，最大集電極-發射極電壓為25伏。 基本晶體管
2023-02-16 18:22:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
世界晶體管手冊
2012-11-03 09:08:34
世界晶體管手冊.files.rar
2012-04-12 08:43:17
;><strong>世界晶體管手冊<br/></strong></font>
2009-11-24 10:43:21
的工程師基爾比發明了第一顆集成電路IC。2000年，杰克·基爾比因集成電路的發明被授予諾貝爾物理學獎。前不久，華為發布麒麟970全球首款移動AI計算芯片，使用10nm工藝制造，指甲蓋大小的芯片里集成的晶體管
2018-08-07 14:47:02
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導體公司BeSang授權。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內？4. 在使用環境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
誰有晶體管和集成塊的識別圖以及作用的圖書發個看看！求購呀！:)
2011-05-21 06:25:44
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
過大，則β和hFE也將明顯變小。(2) 集電極最大電流ICM晶體管集電極允許通過的最大電流即為ICM。需指出的是，IC大于ICM時晶體管不一定會被燒壞，但β等參數將發生明顯變化，會影響晶體管正常工作，故
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
不同的是，用于放大或導通/關斷的偏置電流會流經晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管，稱之為“非集中保護” (和集中保護對照)。集成驅動電路的功能包括：(1)開通和關斷功率開關；(2)監控輔助電源電壓；(3)限制最大和最小脈沖寬度；(4)熱保護；(5)監控開關的飽和壓降。
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數等參數及外地人形尺寸等是否符合應用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機中使用的末級視放輸出管，應選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統
2010-08-12 13:57:39
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內部的層狀結構
2020-07-07 11:36:10
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
IB0912L30功率晶體管IB0912L70功率晶體管IB0912M210功率晶體管IB0912M350功率晶體管IB0912M500功率晶體管IB0912M600功率晶體管IB0912M70功率
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙極
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統來實現最大的可靠性。 發射極鎮流電阻集成在有源電池中，可實現最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設備都針對大信號RF參數進行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
，由于電阻Rc的限制（Rc是固定值，則最大電流為U/Rc，其中U為電源電壓），集電極電流不能無限增加。當基極電流增加而集電極電流不能繼續增加時，晶體管進入飽和狀態。判斷晶體管是否飽和的一般標準是：Ib
2023-02-08 15:19:23
，電壓源耦合到PNP晶體管。這一次，發射極連接到電源電壓V抄送通過負載電阻器，RL，限制流過連接到集電極端子的設備的最大電流。基電壓VB相對于發射極偏置負，并連接到基極電阻R。B，用于再次限制最大基極
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
主要參數 晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數 電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導體元器件，研制人員在為這種器件命名時，想到它的電阻變換特性，于是取名為trans-resister(轉換電阻)，后來縮寫為transistor，中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
了“芯片里程表(Odometer for silicon chip)”的概念，并開發出一種電路用于測量可能影響芯片性能的晶體管老化指標，他希望能將這種電路集成進微處理器芯片設計中，以協助微處理器自動檢測運轉
2017-06-15 11:41:33
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區域內，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術）嚴格來說，晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件，包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
行直流測試，顯示結果優良，表明氮化鎵在未來透明電子系統中有很大的應用潛力。我們的晶體管柵極—源極距離為1.5μm的，柵極長為2μm，柵極—漏極距離為9.5μm，呈現的最大漏電流為602 mA/mm，最大
2020-11-27 16:30:52
功率設計通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅動螺線管、發光二極管 （LED） 顯示器和其他小負載。 與使用標準單晶體管相比，達林頓晶體管設計具有多個優勢。該對中每個晶體管的增益相乘，從而產生
2023-02-16 18:19:11
。 為什么使用鰭式場效應晶體管器件代替MOSFET？ 選擇鰭式場效應晶體管器件而不是傳統的MOSFET有多種原因。提高計算能力意味著增加計算密度。需要更多的晶體管來實現這一點，這導致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
ULN2003是什么？ULN2003的主要特點是什么？ULN2003達林頓晶體管集成電路有哪些應用？怎樣去設計一種ULN2003達林頓晶體管集成電路？
2021-08-11 09:17:12
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
長度為350nm。所以我用這些單元模擬了一個電路。現在我需要在Xilinx FPGA芯片（xilinx ISE）中實現它，并比較這兩者之間的延遲。為了使比較合理，我需要確保兩者中的晶體管溝道長度相同。所以我正在尋找一種具有350nm通道長度的FPGA芯片。有人能幫我嗎？謝謝
2019-11-11 07:10:27
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數
2021-05-13 07:09:34
`場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管
2018-11-05 17:16:04
晶體管等多種類型。三、晶體管的主要參數晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。（一）電流放大系數電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力
2012-07-11 11:36:52
區域，而粉紅色陰影區域表示截止區域。 圖1. 晶體管工作區 這些區域定義為： ? 飽和區域。 在這個區域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現最大電流，在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
: 2SD2673的規格書（記載了絕對最大額定值）例：瞬間超過絕對最大額定值的例子（不可使用）3. 是否在SOA范圍內？確認安全工作區域 (SOA *1) 1安全工作區域（SOA）表示晶體管可安全工作的區域
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數值代入式子②計算。根據下面的式子選擇數字晶體管的電阻R1、R2，使數字晶體管的IC比使用設備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
輸出LLC轉換器，以進行效率和功率密度比較。初級晶體管選擇LLC具有多種優勢，因為它具有完全諧振行為，允許在整個范圍內進行軟開關導通，這本質上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
。由于成本下降，可再生能源系統的使用正在世界范圍內擴大。這些系統需要將直流電源轉換為電網同步的交流電源。目前，實現這項任務的逆變器是用分立晶體管設計制造的。TowerJazz半導體公司
2021-11-11 09:29:38
電子產品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
見證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發明了“結型晶體管 ”。1948年7月1日，美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅，簡短地公開了貝爾實驗室發明晶體管的消息。“一石激起千層浪”，它就像顆重磅***，在全世界電子行業“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機終于就要大步跨進第二代的門檻！
2012-08-02 23:55:11
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
世界晶體管介紹
2010-07-10 17:02:52
95 根據Tom＇s Hardware的報道，今天，英特爾推出了世界上最大的FPGA芯片Stratix 10 GX 10M，搭載433億個晶體管，擁有1020萬個邏輯元件，使用EMIB將兩個FPGA芯片和四個收發芯片連接在一起。
2019-11-13 16:25:351430 據外媒techspot報道，今年夏天，美國加州AI初創公司Cerebras Systems宣布推出世界上最大的芯片，這款名為“The Cerebras Wafer Scale Engine（WSE）”的芯片擁有1.2萬億個晶體管，其當時就被認為就是為AI計算而生的。
2019-11-20 14:44:083631 目前最大的GPU芯片——NVIDIA用于AI加速的GV100大核心，集成了211億晶體管（核心面積815mm2）。WSE芯片晶體管數量是這個最大的GPU芯片的60倍，面積則是它的56倍多。
2019-12-09 14:51:214331 大家都知道芯片使由晶體管構成的，一個芯片由小到幾十，大到超百億晶體管構成。像華為麒麟990芯片，就是由103億顆晶體管組成的。
2021-12-14 13:49:1416520 芯片上集成晶體管的方法有很多，其中最常用的是封裝技術，即將晶體管封裝在芯片上，使其成為一個整體，從而實現晶體管的集成。另外，還可以使用芯片上的晶體管模塊，將晶體管模塊連接到芯片上，從而實現晶體管的集成。
2023-02-19 14:02:153071
電子發燒友App
工商網監
評論