上硅)技術發展規劃。半導體器件和 FD-SOI技術創新對法國和歐盟以及全球客戶具有戰略價值。FD-SOI 能夠為設計人員和客戶系統帶來巨大的好處,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如,通信連接和安全保護。對于汽車、物聯網和移動應用而言,這些優勢是FD-SOI技術的一個重要特質。 ? CEA主席
2022-04-21 17:18:483472 意法半導體宣布,其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz,在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:241298 Altera推出業界唯一投產的低功耗28 nm Cyclone? V GT FPGA,幫助開發人員降低了PCIe Gen2應用的系統總成本,并全面通過了PCI Express? (PCIe?) 2.0規范的兼容性測試。
2013-03-19 12:37:392139 意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器,有望突破更高性能,以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝,以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當,為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 半導體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺,以滿足新一代物聯網(IoT)裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說,業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動,象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033179 Globalfoundries技術長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該公司的技術藍圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展,首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當14納米節 點,FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%,此外其設計成本也低25%左右,并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:021835 鰭式晶體管(FinFET)制程技術外,也投入全耗盡型絕緣層上覆硅(FD-SOI)市場,并推出22納米及12納米FDX制程平臺,搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22845 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時,FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯,人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 從工藝選擇到設計直至投產,設計人員關注的重點是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創新,那其28nm高端FPGA如何實現功耗和性能的平衡?具體有何優勢?
2013-05-17 10:26:112980 萊迪思半導體位居全球FPGA廠商第三,雖然與前兩大公司賽靈思和英特爾(收購Altera)的營收有所差距,但作為以低功耗、小型化著稱的FPGA廠商在消費類電子、工業等領域取得了成功。近年,其策略發生了重要的變化,推出了轉型之作。
2019-12-16 11:24:331893 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:415772 高性能與低功耗兼具的ADC產品匯聚 Sisyphus 模擬數字轉換器ADC連接著現實模擬世界與電子系統,一直是芯片產業皇冠上的明珠。隨著技術應用的發展,ADC產業呈現出越來越清晰的發展趨勢,即在大幅
2021-12-20 07:01:002121 在工藝進程方面,i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝,該工藝的優勢在于能夠在提升處理器主頻性能的同時,盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:331663 絕緣體上硅(FD-SOI)技術開發10納米低功耗工藝技術模塊,該技術未來將進一步向7納米拓展,這也是浸沒式DUV光刻技術的極限。該機構透露,FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現有設計兼容,并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19428 獨有的超低泄漏電流優化的130nm制程,下設三個產品線均基于意法半導體的超低功耗技術平臺,共計26款產品,涵蓋多種高性能和多功能應用。圖1,STM8L152結構框圖
2019-07-24 08:03:04
FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術是一種新的工藝技術,有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片,在相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
FPGA的功耗高度依賴于用戶的設計,沒有哪種單一的方法能夠實現這種功耗的降低,如同其它多數事物一樣,降低功耗的設計就是一種協調和平衡藝術,在進行低功耗器件的設計時,人們必須仔細權衡性能、易用性、成本
2015-02-09 14:58:01
FPGA的功耗高度依賴于用戶的設計,沒有哪種單一的方法能夠實現這種功耗的降低,在進行低功耗器件的設計時,人們必須仔細權衡性能、易用性、成本、密度以及功率等諸多指標。
2019-08-29 07:52:29
目前許多終端市場對可編程邏輯器件設計的低功耗要求越來越苛刻。工程師們在設計如路由器、交換機、基站及存儲服務器等通信產品時,需要密度更大、性能更好的FPGA,但滿足功耗要求已成為非常緊迫的任務。而在
2019-07-15 08:16:56
隨著65nm工藝的應用以及更多低功耗技術的采用,FPGA擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量,具備進入更廣泛市場的條件。FPGA從業者表示,今年FPGA快速增長,而預計明年仍將是一個增長年。
2019-10-31 06:49:34
Altera公司產品和企業市場副總裁DannyBiran低功耗是一種戰略優勢 在器件的新應用上,FPGA功耗和成本結構的改進起到了非常重要的作用。Altera針對低功耗,同時對體系結構和生產工藝進行
2019-07-16 08:28:35
工藝節點中設計,但是 FD-SOI 技術提供最低的功率,同時可以承受輻射效應。與體 CMOS 工藝相比,28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數據轉換器需要同時具有高帶寬和低功耗,以
2023-02-07 14:11:25
Altera公司近期宣布,開始交付業界第一款高性能28-nm FPGA量產芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工藝制造的FPGA,比競爭解決方案高出一個速率等級
2012-05-14 12:38:53
如果我只在 12.5Hz 下操作加速度計,LSM6DS3TR-C 的低功耗模式和高性能模式有什么區別?
2022-12-09 06:47:13
Cyclone V FPGA是目前市場上功耗最低、成本最低的28nm FPGA。該系列通過集成,前所未有的同時實現了高性能、低系統成本和低功耗,非常適合工業、無線、固網、軍事和汽車等市場
2012-09-21 13:49:05
半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破,快速發展,為MRAM的商業化應用埋下了伏筆。 2014年,三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協議,授權三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用?
2021-06-26 07:14:03
基于Cortex-A53架構的低功耗高性能處理器RK3328有哪些功能呢?
2022-03-09 06:27:22
基于ZU3EG的低功耗高性能嵌入式AI高性能計算模組 ![在這里插入圖片描述](?x-oss-process=image/watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG...
2021-12-14 08:38:53
從工藝選擇到設計直至投產,設計人員關注的重點是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創新,那其28nm高端FPGA如何實現功耗和性能的平衡?具體有何優勢?
2019-09-17 08:18:19
充分發揮低功耗優勢的公司之一,它是世界上最大的電信系統供應商之一,可提供基于Altera Stratix IV FPGA的運營商級以太網芯片解決方案。Altera高性能、低功耗技術與TPACK高度集成
2019-07-31 07:13:26
CJC89888芯片特點是什么?低功耗芯片設計要點是什么?怎么實現低功耗單芯片高性能音頻CODEC的設計?
2021-06-03 06:27:25
尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
,使用TSMC的28nm高性能(28HP)工藝,對于低成本和低功耗應用,則采用28LP工藝。Stratix V FPGA采用了28HP工藝,而Arria V和Cyclone V FPGA都采用了LP
2015-02-09 15:02:06
本資料是關于如何采用低功耗28nm降低系統總成本
2012-07-31 21:25:06
TI新推6核DSP,兼具極低功耗和高性能
以前我們依靠時鐘衡量DSP性能高低,然而這樣的對應關系并非線性,而市場的需求卻在線性增長,那如何實現性能的提升?
2009-11-06 09:35:25638 統一工藝和架構,賽靈思28納米FPGA成就高性能和低功耗的完美融合
賽靈思公司(Xilinx)近日宣布,為推進可編程勢在必行之必然趨勢,正對系統工程師在全球發布賽靈思
2010-03-02 08:48:51576 22nm以后的晶體管技術領域,靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術領域,靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低 功耗技術,并將該技術與新型一體化 ASMBLTM 架構相結合,從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實現了前所未有的高集成
2012-01-17 15:44:0321 本白皮書介紹了有關賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面,其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗(28nm HPL 或 28 HPL)工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441 Cyclone V FPGA簡介 Altera公司的28nm Cyclone V FPGA器件是目前市場上功耗最低、成本最低的28nm FPGA。該系列通過集成,前所未有的同時實現了高性能、低系統成本和低功耗,非常適合工業、無線
2012-09-04 13:44:542117 本文主要介紹Cyclone V FPGA的一個很明顯的特性,也可以說是一個很大的優勢,即:采用低功耗28nm FPGA減少總系統成本
2012-09-05 15:35:2726 Cyclone V FPGA功耗優勢:采用低功耗28nm FPGA活的最低系統功耗(英文資料)
2012-09-05 16:04:1140 意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201 日前,意法半導體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術,這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術的能力。
2012-12-14 08:45:27793 Mouser Electronics正在備貨Altera公司業界領先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結合了高性能、業界最低的操作功耗以及系統成本,是工業、無線、有線、廣播和汽車應用的理想選擇。
2013-05-21 16:15:031103 一種高性能低功耗SEU免疫鎖存器_黃正峰
2017-01-08 10:40:540 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力,格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:425975 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效,近日傳來消息,又迎來意法半導體(ST)的大單進補,在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 集中在28nm,但是下一代的18nm將不會太遠。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎,提供基礎的工藝服務,未來將開發RF和eMRAM技術。
2018-04-10 17:30:001703 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術,除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程,以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點,各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單,其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖,從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:002394 賽靈思7系列FPGA產品通過采用新的工藝和新的架構方式,成功將產品的功耗顯著降低。7系列FPGA產品的實測功耗與上一代產品相比,降低了約一半。采用臺積電全新28HPL工藝,賽靈思7系列28nm FPGA產品同時實現了高性能和低功耗。
2018-06-05 13:45:004086 加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證,準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產),三星代工廠(28納米工藝投產中,18納米工藝計劃投產),以及格芯代工廠(22納米工藝投產中,12納米計劃投產)。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產品進入大批量產階段。
2018-08-02 14:27:2811603 日前,格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發,轉而專注現有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425128 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導體知識產權(connectivity IP),在GF的22nm FD-SOI(22FDX?)工藝平臺上,為業界提供用于低功耗藍牙
2018-09-26 11:14:504395 與傳統FPGA架構相比,UltraScale架構引入了許多創新,可提高性能并降低功耗。
在本視頻中,我們將重點介紹路由,邏輯和實現軟件的增強功能......
2018-11-22 06:45:003056 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應,滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求,確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注,Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展,從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時,提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結構;而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統Si芯片制程方式,進而以水平式晶體管架構,取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204247 持續創新 28HPL 高性能低功耗工藝,成就跨越全新中低端器件,和 Artix-7 FPGA、Kintex-7 FPGA 及 Zynq-7000 SoC 產品系列的全新低功耗工業速度等級的器件敬請
2019-08-01 09:07:323066 事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比,本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444274 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設計大廠萊迪思半導體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術平臺,發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現場可程序化邏輯門數組)產品。
2020-02-27 14:54:38739 近日低功耗可編程器件的領先供應商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺打造。該芯片與市場上同類產品相比最大的特點是其擁有領先的I/O密度,據了解
2020-07-03 08:57:36770 萊迪思的研發工程師幾年前就開始著手FPGA開發工藝的創新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺。最終萊迪思成為業界首個支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應商
2020-07-03 14:05:432395 “FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335 去年12月,我們推出了全新低功耗FPGA開發平臺Lattice Nexus?,這是業界首款采用28 nm FD-SOI制造工藝的低功耗FPGA平臺。Nexus在各個設計層面(從軟件解決方案到架構
2020-07-10 10:03:00524 Lattice Nexus是業界首個基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術平臺,得益于功耗和MIPI 速度上的優勢,基于該平臺的第一款產品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認可
2020-07-15 19:28:42815 的功耗高度依賴于用戶的設計,沒有哪種單一的方法能夠實現這種功耗的降低。目前許多終端市場對可編程邏輯器件設計的低功耗要求越來越苛刻。在消費電子領域,OEM希望采用FPGA的設計能夠實現與ASIC相匹敵的低功耗。 盡管基于90nm工藝的FPGA的功耗已低
2020-10-28 15:02:132498 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 行業領先的功耗效率——通過利用萊迪思在FPGA架構方面的創新和低功耗FD-SOI制造工藝,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同時功耗比同類競品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312338 (電子發燒友網原創報道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國和SOI產業聯盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069 電子發燒友網站提供《設計低功耗和高性能的工業應用.pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:50:420 谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 據悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術,能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現有的 40nm EPM 技術,新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2369
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