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電子發燒友網>可編程邏輯>Synopsys推出可用于180nm CMOS工藝技術的可重編程非易失性存儲器IP

Synopsys推出可用于180nm CMOS工藝技術的可重編程非易失性存儲器IP

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三星突破次世代存儲器將大規模生產28nm工藝EMRAM

三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051

格芯宣布已完成22FDX技術開發 將用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器

據外媒報道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發,而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405

格芯22FDX技術用于批量生產eMRAM磁阻非易失性存儲器芯片

據外媒報道稱,美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries(格芯)宣布已經完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發,而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490

格芯22nm工藝量產eMRAM,新型存儲機會來臨

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生產。
2020-03-11 10:54:37713

新興的非易失性存儲器技術誰將更勝一籌

新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機存取存儲器(FeRAM),磁性隨機存取存儲器(MRAM),相變存儲器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840

存儲器和新興非易失性存儲器技術的特點

良好的設計是成功制造非易失性存儲器產品的重要關鍵,包括測試和驗證設備性能以及在制造后一次在晶圓和設備級別進行質量控制測試。新興的非易失性存儲器技術的制造和測試,這些技術將支持物聯網,人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:16847

汽車導航系統應用于富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001

MB85R2001是一種富士通FRAM芯片,由262,144字8位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術創建。能夠保留數據,而無需使用SRAM所需的備用
2020-06-28 16:04:16777

淺談幾種給定的非易失性存儲器存儲技術的優缺點

SRAM為數據訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統電源或其他備用電源(如電池)供電時,他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術的優缺點。 表1非易失性存儲器比較
2020-10-23 14:36:121516

CMOS工藝技術的學習課件免費下載

本文檔的主要內容詳細介紹的是CMOS工藝技術的學習課件免費下載。
2020-12-09 08:00:000

非易失性存儲器-Nor Flash的特點都有哪些

Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程非易失性存儲器,其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046

Arasan宣布用于臺積公司22nm工藝技術的eMMC PHY IP立即可用

領先的移動和汽車SoC半導體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布,用于臺積公司22nm工藝技術的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21
2021-01-21 10:18:232385

非易失性存儲器X24C44中文數據手冊

非易失性存儲器X24C44中文數據手冊分享。
2021-04-14 10:20:486

非易失性存儲器X24C45中文數據手冊

非易失性存儲器X24C45中文數據手冊分享。
2021-04-14 10:30:0915

AN-579:使用帶非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器

AN-579:使用帶非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:3712

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復位,看門狗定時器,非易失性事件計數器,可鎖定的64位序列號區域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的,并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

非易失性存儲器S25FL512S手冊

非易失性存儲器S25FL512S手冊免費下載。
2021-06-10 09:46:242

MCU片內非易失性存儲器操作應用筆記

電子發燒友網站提供《MCU片內非易失性存儲器操作應用筆記.zip》資料免費下載
2022-09-22 10:00:540

非易失性存儲器是如何發展起來的?

DRAM屬于易失性存儲器,也就是大家常說的內存。今天,我們再來看看半導體存儲的另一個重要領域,也就是非易失性存儲器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。
2022-10-13 09:24:131348

基于非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器

電子發燒友網站提供《基于非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:350

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