? 中國北京，2022 年?5 月?6日?——設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業Soitec 近日發布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:42
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法國Soitec半導體公司宣布與應用材料公司啟動聯合項目，展開對新一代碳化硅襯底的研發。
2019-11-19 14:44:48861 功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
服務提供商 Sigfox宣布一項技術合作協議，以支持并提高市場對各種應用互聯設備的需求，包括供應鏈管理、樓宇和設備維護、水和燃氣計量、安保、交通、農業、礦業和家庭自動化。意法半導體的開發工具將整合
2018-03-12 17:17:45
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產業銷售額為3539億元，同比增長16.1%。碳化硅（SiC）的應用碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應用最廣
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產業的發展，作為光伏產業用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管主要特點及產品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術參數如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產品列表見下：原作者：基本半導體
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）合作開發Velankani為印度市場設計的Prysm?智能電表。 該技術合作
2018-03-08 10:17:35
ST意法半導體意法半導體擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發
2022-12-12 10:02:34
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術，與硅 FRD對比的主要優點有： 圖9 二極管反向恢復
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發的產品。 該產品采用標準ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
MOSFET更好的在系統中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發，引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業，今天我們首先
2021-07-29 11:01:184376 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業 Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領域專家美爾森達成戰略合作，攜手為電動汽車市場開發多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17638 12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術，打造
2021-12-31 10:55:432797 
Soitec 半導體公司宣布，將在其位于法國貝寧的總部增設新產線，用于生產創新型碳化硅襯底，助力電動汽車和工業市場應對關鍵挑戰。新產線落成后還將同時用于 Soitec 300-mm SOI 晶圓的生產。
2022-03-16 11:31:41753 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關，從而提供了簡化和可靠的系統布局。
2022-04-07 14:49:043207 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發展迅猛，被認為是有可能實現換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161073 ? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，法國 Soitec 半導體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）的檢測技術，實現碳化硅
2022-07-22 11:50:36730 
意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:031350 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:55742 作為半導體產業中的襯底材料，碳化硅單晶具有優異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應用對碳化硅晶片表面質量的要求
2022-10-11 16:01:043661 公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18個月內完成對Soitec碳化硅襯底技術的產前認證測試。此次合作的目標是意法半導體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術制造未來的8寸碳化硅襯底，促進公司的碳化硅器件和模塊制造業務，
2022-12-08 12:22:48616 半導體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47438 
前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅(SiC) 是第三代半導體，相較于前兩代半導體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求。
2023-01-16 10:22:08412 碳化硅技術龍頭企業 碳化硅市場格局 碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420972 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，屬于第三代半導體材料，其禁帶寬度高達3.0eV，相比第一代半導體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術
2023-02-03 15:25:163637 
技術方面，意法半導體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術合作達成協議。意法半導體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產可以采用Soitec的Smart碳化硅技術。
2023-02-06 16:25:17679 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:44
8 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統需要更少的串聯開關，從而提供了簡化和可靠的系統布局。 隨著新行業和產品采用電子和半導體，設計師和制造商正在尋找改進和更智能
2023-02-20 15:51:550 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅產業呈現明顯的行業上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業鏈中的核心環節，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51932 碳化硅襯底 產業鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483433 
來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:09713 
%的份額。到2027財年，將碳化硅功率半導體業務的銷售額提升到2700億日元（約人民幣139億）。 為此，羅姆在收購端開始發力，羅姆已與Solar Frontier達成協議，收購Solar
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06531 
2023年9月，科友半導體自產首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 科友半導體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設，加快襯底加工設備調試與工藝參數優化。
2023-10-18 17:43:40726 業內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21970 在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:57931 碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403 單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環節，碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53561 
目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37604 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優異性能，在眾多高端應用領域表現出色，已成為半導體材料技術的重要發展方向之一。SiC襯底分為導電型和半絕緣型兩種，各自適用于不同的外延層和應用場景。
2024-01-17 09:38:29309 
今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:16254 
在這次考察中，考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮，這筆交易總預算高達十億元人民幣，其中包括兩年內生產 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業預期估算，該項目完成后每年潛在銷售額將達到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787 1月23日，山東有研硅半導體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業務合作協議》，該協議旨在充分發揮雙方各自優勢，創新業務合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:57459 近日，國內領先的半導體企業芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰略合作協議。這一協議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:43100 。 ? 5月3日在天岳先進上海工廠產品交付儀式舉辦當天，英飛凌也宣布與天岳先進簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協議。根據該協議，天岳先進將為德國半導體制造商英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的150毫米（6英寸）碳化硅晶圓和晶錠，其
2023-05-06 01:20:002329 
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