5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導體發展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導體布局
2021-05-10 16:00:57
2569 系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
號的MOSFET是平面結構，而SJ MOSFET僅僅是結構不同。當然，還有雜質濃度等細小差異。SJ MOSFET因結構不同，導通電阻RDS(ON)(ON)與柵極電荷量Qg顯著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
瑞薩車載導航系統解決方案 下載：
2015-01-09 17:03:43
在2023年上半年發布包含新柵極驅動IC的版本。瑞薩電子汽車模擬應用特定業務部副總裁大道昭表示：“瑞薩很高興面向車載應用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅動IC。我們將繼續推動針對電動車
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結合了瑞薩廣泛產品的全新“成功產品組合”——其中包括電動汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個世紀六七十年代，III-V族半導體的發展開辟了光電和微波應用，與第一代半導體一起，將人類推進了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料的出現，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評估板是第三代完全集成的3端口開關。 KSZ8873RLL的兩個PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代無線通信模塊
產品描述
【產品特點:】配我們公司專門的高增益8.5cm棒狀天線，開闊地距離可以達到700-1000米！
(1) 配置我們
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數字手機（２Ｇ）來說，第三代手機是指將無線通信與國際互聯網等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術——EDGE作者：項子GSM和TDMA/136現在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標準。當前有100多個國家的1億多人采用GSM，有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
（PATRO）高解析強光抑制攝像機、帕特羅（PATRO）遠距離紅外一體攝像機、帕特羅（PATRO）紅外防雷攝像機 正當IR-III技術以新臉孔出現在紅外夜視市場時，市場上也出現了第三代陣列式紅外攝像機，造成
2011-02-19 09:35:33
紅外夜視領域領先技術，在產品性能與應用等方面上與激光紅外相比，有明顯的優勢。廣州帕特羅（PATRO）的第三代紅外攝像機以單顆燈完全取代多顆燈模式，電光轉化效能最高可達85%以上，降低了功耗，使用壽命
2011-02-19 09:38:46
DT298還具備了幾個很有特色的實用功能，除了全程語音操控外，停車監控也是它的亮點之一。就是在車輛停放期間，凌度DT298第三代聯網記錄儀如果感應到車身有震動時，會自動開啟攝像頭同時開始錄像，監控車輛情況
2019-01-08 15:44:58
的電阻率，因而導通電阻較常規MOSFET將明顯降低。 通過以上分析可以看到：阻斷電壓與導通電阻分別在不同的功能區域。將阻斷電壓與導通電阻功能分開，解決了阻斷電壓與導通電阻的矛盾，同時也將阻斷時的表面
2023-02-27 11:52:38
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同等產品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導通電阻
2018-12-05 10:00:15
LED:節能環保的第三代照明技術1、半導體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠自 20 世紀 60 年代世界第一個半導體發光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
[/url]產品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節點的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-11 17:15:41
瑞士微型數字傳感器生產商Sensirion公司推出第三代MEMS流量傳感器，用于對微流體系統的流量進行數字化測量。 新型OEM傳感器通過使用OEM組件，原有微流體產品范圍得到擴大。組件價格優惠
2018-10-26 16:29:10
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同的導通電阻。 不僅能夠以小封裝實現低導通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標準化導通電阻（單位面積導通電阻）更低的器件。例如900V時，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現相同
2019-05-07 06:21:55
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
`[/url]產品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節點的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-14 16:11:45
，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統不能穩定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。MOSFET的損耗主要有以下部分組成：MOSFET導通與關斷過程中都會產生
2019-09-25 07:00:00
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
產品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節點的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP/ADP
2019-04-22 14:07:14
近日，華碩正式發布EeePCShell貝殼機，標志上網本市場正式進入第三代。華碩EeePC全球產品經理吳南磬表示，今后的每款EeePC在設計之初都將預留3G模塊的位置，并透露EeePC與傳統筆記本將
2009-07-01 22:40:05
據業內權威人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復：第三代移動通信系統IMT2000，是國際電信聯盟（ITU）在1985年提出的，當時稱為陸地移動系統（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術的興起，UMTS網絡的建立將帶來一場深刻的革命，這對網絡規劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執照拍賣，引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術即紅外夜視第三代技術，根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發明的紅外夜視技術，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移動通信系統標準的ALC控制方案的設計與實現
2021-01-13 06:07:38
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產品優點 綜上所述，基本半導體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優點： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時
2023-02-28 17:13:35
客戶采用的是SCS2系列。包括不同的封裝和電流規格等在內，已經實現近50個機型的量產供應。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的數字表示各代。－那么接下來請您介紹一下第三代SiC-SBD
2018-12-03 15:11:25
結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
淺析第三代移動通信功率控制技術
2021-06-07 07:07:17
的根本原因。 （2）降低高壓MOS管導通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業品所不允許的。引入少數載流 以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導通電阻，所剩的思路就是
2018-11-01 15:01:12
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向第三代(3G)標準的演化與發展，給出了范圍廣泛的3G發射機關鍵技術與規范要求的概述。文章提供了頻分復用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統發射機的設計和測得的性能數據，以Maxim現有的發射機IC進行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
導讀：蘋果第三代AirPods預計會在今年年底前上市。 4月24日，據產業鏈最新消息，蘋果正在準備第三代AirPods，預計會在今年年底前上市，而今年3月份蘋果剛剛發布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
更高的直流電輸出。2、SiC MOSFET對于傳統的MOSFET，它的導通狀態電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiC MOSFET導通電 阻、同時輸入電容大大減小，額定工作結溫更是達到200
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹，諸多的評論都說到他的優勢，小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
AN系列是以“漏極-源極間導通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開發的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
匯佳智能第三代25－29彩色電視機電路圖，匯佳智能第三代25－29彩電圖紙，匯佳智能第三代25－29原理圖。
2009-05-22 10:11:57
179 文章介紹了第三代LonWorks 技術的應用方向和結構，以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產品以及它們的主要技術特點和性能。關鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:458 第三代LonWorks技術和產品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術的應用方向和結構，以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產品以及它們的主要技術特點
2010-03-18 09:55:0417 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數據中心的基礎。這些處理器具有內置AI加速、先進的安全技術和出色的多插槽處理性能，設計用于任務關鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內存速度和增加內存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術以及內置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業、HPC、網絡、安全和IoT工作負載進行了優化，具有8到40個強大的內核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
第三代移動通信常識
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫，指第三代移動通信技術。相對
2009-06-01 21:03:572479 什么是第三代移動通信系統
第三代移動通信系統IMT2000，是國際電信聯盟（ITU）在1985年提出的，當時稱為陸地移動系
2009-06-13 22:20:55949 Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC VLIW DSP內核
Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC（乘數累加器）VLIW（超長指令字）DSP（數字信號處理器）
2010-04-24 12:05:451545 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49899 萊迪思半導體公司日前宣布推出其第三代混合信號器件，Platform Manager系列。通過整合可編程模擬電路和邏輯，以支持許
2010-10-18 08:49:24712 據一向不靠譜的臺灣媒體DigiTimes報道，蘋果將于今年夏季發布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來自夏普的IGZO顯示屏，這種技術將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發布之
2012-06-30 11:48:16625 ［中國 – 2016年2月29日］ 全球樹莓派領先制造商與分銷商e絡盟日前宣布推出全新第三代樹莓派B型板。新一代開發板內置無線和藍牙連接，運行速度更快且功能更強大，進一步擴充了其已擁有世界一流樹莓派配件生態系統的產品范圍，其中包括近期推出的樹莓派觸摸屏顯示器。
2016-03-03 15:04:451952 本文首先介紹了第三代半導體的材料特性，其次介紹了第三代半導體材料性能應用及優勢，最后分析了了我國第三代半導體材料發展面臨著的機遇挑戰。
2018-05-30 12:37:3334365 
繼5G、新基建后，第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關外，更重要是有證券研報指出，第三代半導體有望納入重要規劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業人士提醒，有個人投資者
2020-09-21 11:57:553813 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299043 根據今年3月份曝光的AMD產品線路圖來看，第三代線程撕裂者有望在今年年內發布，但隨后在6月舉行的臺北電腦展上，新的AMD線路圖顯示第三代線程撕裂者被移除，加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代
2019-09-02 13:08:004963 1月14日消息，vivo宣布將于MWC巴塞羅那2020上舉行新品發布會（2月23日-2月24日），正式推出vivo第三代APEX概念機。
2020-01-14 10:49:121820 呢？為什么說第三代半導體有望成為國產替代希望？ 第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業互聯網等多個新基建產業的重要材料，同時也是
2020-10-29 18:26:404897 
據了解，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入十四五規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主
2020-11-04 15:12:374305 招商引資名單中。 問題來了：第三代半導體產業是真的進入春天還是虛火上升？又有哪些行業真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對于IGBT、MOSFET和超級結MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業帶來哪些技術變革？ 為了回答這些問題，小編認真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312551 最近，“我國將把發展第三代半導體產業寫入‘十四五’規劃”引爆全網。什么是第三代半導體？發展第三代半導體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 日前，阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發。第三代半導體與前兩代有什么不同？為何這兩年會成為爆發的節點？第三代半導體之后
2021-01-07 14:19:483427 更加精準，助力智能產業升級。 據高德介紹，第三代車載導航是軟硬件結合的小一袋車載導航解決方案，依托合作車企的全棧自研能力，已率先與小鵬汽車達成合作。 第三代車載導航不僅將導航由道路級升級為車道級，同時將自動駕駛系統感
2021-01-22 18:05:143606 1月22日，數字地圖、導航和位置服務提供商高德地圖在北京發布了第三代車載導航。
2021-01-24 09:50:574127 在日前的極客公園·創新大會2021上，小米生態鏈企業，華米科技創始人、董事長兼CEO黃汪透露，華米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出。
2021-02-01 09:45:452190 在日前的極客公園·創新大會2021上，小米生態鏈企業，華米科技創始人、董事長兼CEO黃汪透露，華米科技自研的第三代可穿戴芯片將很快推出。
2021-02-01 11:58:312254 2月20日，移遠通信正式推出其第三代5G NB-IoT系列模組BC95-CNV和BC28-CNV。這兩款模組基于海思Boudica 200平臺，在大幅提升集成度、性價比、安全性和降低功耗的同時，新增
2021-02-22 09:22:071225 2021年4月8日，上海——瀾起科技，國際領先的高性能處理器和全互連芯片設計公司，正式對外發布其全新第三代津逮CPU，以更好滿足數據中心、高性能計算、云服務、大數據、人工智能等應用場景對綜合
2021-04-12 14:26:292879 第三代半導體Central issue 2020年10月，國星光電成功舉辦了首屆國星之光論壇，論壇上國星光電宣布將緊抓國產化機遇，迅速拓展第三代半導體新賽道。近期，國星光電正式推出一系列第三代半導體
2021-04-22 11:47:102719 以2.4-2.6次方增長，其增長速度使MOSFET制造者和應用者不得不以數十倍的幅度降低額定電流，以 折中額定電流、導通電阻和成本之間的矛盾。
2022-03-17 09:35:332873 近年來，國家和各地方政府陸續推出相關政策推動第三代半導體相關產業發展：2017年，工信部、國家發改委發布的《信息產業發展指南》將“第三代化合物半導體”列為集成電路產業的發展重點；而科技部也已將第三代
2022-08-02 08:57:381568 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53483 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產品陣容，以標準AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01401 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07611 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為
2023-02-20 15:46:150 近年來，國家和各地方政府陸續推出相關政策推動第三代半導體相關產業發展：2017年，工信部、國家發改委發布的《信息產業發展指南》將“第三代化合物半導體”列為 集成電路 產業的發展重點；而科技部也已將
2023-02-27 15:21:454 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33568 
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