日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡摹⑤斎腚妷?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:23
1142 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:04971 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381452 中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
概述：MAX1553能夠以恒定電流驅(qū)動(dòng)串聯(lián)的白色LED，為蜂窩電話、PDA及其它手持設(shè)備提供高效的顯示器背光驅(qū)動(dòng)。這款升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)部包含一個(gè)40V、低RDSON的N溝道MOSFET開關(guān)，可提高效率、延長電池壽命。
2021-04-21 07:38:25
子的歐姆區(qū)域（ohmic region），MOSFET“完全導(dǎo)通”。在對比圖中，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加
2018-03-03 13:58:23
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V
2020-06-13 11:47:55
溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝
2020-06-19 10:57:37
溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道
2020-06-09 10:23:37
SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道
2020-06-05 10:20:57
P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V
2020-06-20 10:04:16
N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道
2020-06-20 10:05:27
【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場效應(yīng)管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-22 10:53:25
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-22 11:03:37
MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:37:08
管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:39:23
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-24 10:40:54
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS
2020-06-29 16:40:19
溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道
2020-06-09 10:36:41
SL4184 40V60A 9毫歐TO-252SL4184 N溝道場效應(yīng)管40V60A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-07-01 16:58:17
溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N
2020-06-10 14:31:13
TO-252 N溝道 MOS管30V 85A TO-252 N溝道 MOS管 【40V MOS N溝道】40V 10A SOP8 N溝道 MOS管【60V MOS N溝道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中
2021-04-09 09:20:10
NTMFS5C430NLT1G是一款 單 N溝道 功率 MOSFET，40V，1.4 mΩ，200A。特性：?低RDS（開啟）?將傳導(dǎo)損耗降至最低?低輸入電容?最大限度地減少開關(guān)損耗?最高結(jié)溫為
2021-12-29 13:44:23
AOD484SL4184N溝道TO-252 40V 60A可替代 AOD4184SL444N溝道TO-252 60V 12A可替代 AOD444SL50N06 N溝道TO-252 60V 50ASL15N
2020-06-04 14:30:12
尤為明顯，其中包含封裝電阻在內(nèi)的總通態(tài)電阻幾乎減半。英飛凌推出了多個(gè)型號的40V和 60V MOSFET器件（圖3），使設(shè)計(jì)工程師能夠輕松地找到最理想的應(yīng)用解決方案。圖3：40V和60V產(chǎn)品組合實(shí)用性
2018-12-06 09:46:29
Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692 東芝于日前宣布，開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產(chǎn)品，是該公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成員。除車載電子設(shè)備外，還可用于工業(yè)電子設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品等的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)穩(wěn)壓器。
2013-01-23 09:25:13737 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264583 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610908 NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R2-40H
2023-02-08 19:09:24
0 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R0-40H
2023-02-09 21:51:430 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R0-40H
2023-02-16 20:59:320 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、2.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R5-40H
2023-02-16 20:59:450 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R5-40H
2023-02-17 19:45:060 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y24-40P
2023-02-20 19:06:230 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y14-40P
2023-02-20 19:12:590 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D30-40E
2023-02-20 19:14:270 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB14XN
2023-02-20 19:15:240 LFPAK56E 中的 N 溝道 40 V、0.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9J0R9-40H
2023-02-20 19:32:070 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV60ENEA
2023-02-20 19:52:300 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN20ENA
2023-02-20 19:55:270 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:170 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV130ENEA
2023-02-20 20:02:130 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、9.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7M9R5-40H
2023-02-20 20:12:560 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、20.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M20-40H
2023-02-20 20:15:130 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、11.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M11-40H
2023-02-20 20:15:430 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、15.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M15-40H
2023-02-20 20:16:320 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:530 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:070 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:370 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:590 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:280 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:460 雙 N 溝道 40 V、9.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K8R7-40E
2023-02-21 19:37:460 雙 N 溝道 40 V、7.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K6R8-40E
2023-02-21 19:40:300 雙 N 溝道 40 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K6R8-40E
2023-02-21 19:41:570 雙 N 溝道 40 V、5.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K6R2-40E
2023-02-21 19:42:170 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、9.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M9R1-40E
2023-02-21 19:46:280 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、14 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M14-40E
2023-02-21 19:50:030 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、45 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M45-40E
2023-02-21 19:51:420 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、10 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M10-40E
2023-02-21 19:53:380 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:510 雙 N 溝道 40 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K8R7-40E
2023-02-22 18:43:410 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180 N 溝道 LFPAK 40 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-40YS
2023-02-22 18:48:170 N 溝道 LFPAK 40 V、14 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN014-40YS
2023-02-22 18:57:370 I2PAK 中的 N 溝道 40 V、1.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN1R5-40ES
2023-02-22 19:02:450 采用 SOT78 封裝的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:590 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-40P
2023-02-23 19:03:480 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:410 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:580 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:150 40 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV250EPEA
2023-03-02 22:54:060 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV65ENEA
2023-03-03 19:33:120 I2PAK 中的 N 溝道 40 V、1.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9E1R9-40E
2023-03-03 20:09:280 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-13 19:19:370 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-13 19:19:530 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32728 應(yīng)用: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開關(guān)和高速電路 電動(dòng)工具 電機(jī)控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開關(guān)N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)
2023-04-11 14:47:50515 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:050 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:240 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10601 
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