隨著電力電子技術、微電子技術溝迅猛發展，原有的電力傳動（電子拖動）控制的概念已經不能充分概抓現代生產自動化系流中承擔第一線任務的全部控制設備。而且，電力拖動控制已經走出工廠，在交通、農場、辦公室以及家用電器等領域獲得了廣泛運用。它的研究對象已經發展為運動控制系統，下面僅對有關電氣自動化技術的新發展作一些介紹。 1 全控型電力電子開關逐步取代半控型晶閘管 50年代末出現的晶閘管標志著運動控制的新紀元。它是第一代電子電力器件，在我國至今仍廣泛用于直流和交流傳動控制系統。隨著交流變頻技術的興起，相繼出現了全控式器件——gtr、gto、p—moseft等。這是第二代電力電子器件。由于目前所能生產的電流／電壓定額和開關時間的不同，各種器件各有其應用范圍。 gtr的二次擊穿現象以及其安全工作區受各項參數影響而變化和熱容量小、過流能力低等問題，使得人們把主要精力放在根據不同的特性設計出合適的保護電路和驅動電路上，這也使得電路比較復雜，難以掌握。 gto是一種用門極可關斷的高壓器件，它的主要缺點是關斷增益低，一般為4～5，這就需要一個十分龐大的關斷驅動電路，且它的通態壓降比普通晶閘管高，約為2～4.5v，開通di／dt和關斷dv／dt也是限制gto推廣運用的另一原因，前者約為500a／us，后者約為500v／us，這就需要一個龐大的吸收電路。由于gtr、gto等雙極性全控性器件必須要有較大的控制電流，因而使門極控制電路非常龐大，從而促進廠新一代具有高輸入阻抗的mos結構電力半導體器件的一切。功率mosfet是一種電壓驅動器件，基本上不要求穩定的驅動電流，驅動電路只需要在器件開通時提供容性充電電流，而關斷時提供放電電流即可，因此驅動電路很簡單。它的開關時間很快，安全工作區十分穩定，但是p—mosfet的通態電壓降隨著額定電壓的增加而成倍增大，這就給制造高壓p—mosfet造成了很大困難。 igbt是p—mosfet工藝技術基礎上的產物，它兼有mosfet高輸入阻抗、高速特性和gtr大電流密度特性的混合器件。其開關速度比p—mosfet低，但比gtr快；其通態電壓降與gtr相擬約為1．5～3．5v，比p—mosfet小得多，其關斷存儲時間和電流卜降時間為別為0．2～0．4us和0．2～1．5us，因而有較高的工作頻率，它具有寬而穩定的安個工作區，較高的效率，驅動電路簡單等優點。 mos控制晶閘管（mct）是一種在它的單胞內集成了mosfet的品閘管，利用mos門來控制品閘管的開通和關斷，具有晶閘管的低通態電壓降，但其工作電流密度遠高igbt和gtr，在理論上可制成幾千伏的阻斷電壓和幾十千赫的開關頻率，且其關斷增益極高。