CCD（Charge-Coupled-Device）因具備高靈敏性的特點廣泛應用于民用和軍事領域，然而，CCD極易受強光的影響，因此，研究強光對CCD的輻照效應對于很多實際工作有重要參考價值。本文采用實驗研究與理論分析相結合的方法，分析了寬光譜光源（超連續譜光源和太陽光）與532nm連續激光輻照可見光面陣 CCD的干擾效應，獲取了相關閥值數據，并對實驗得到的數據進行數值擬合，驗證了飽和像元數隨光功率密度變化的經驗公式。本文主要工作如下：

　　1、超連續譜光源輻照可見光面陣CCD。通過實驗獲得了面陣CCD的光斑飽和圖像、串擾圖像以及過飽和圖像。實驗結果表明：當可見光面陣CCD相機入瞳處光功率密度為1.3×1010W/cm2，2.4×101w/cm2，6.9×103w/cm2，1.2×102w/cm2時，可見光面陣CCD圖像分別出現局域飽和、串擾、過飽和以及暫時致盲現象。

　　2、太陽光輻照可見光面陣CCD。根據實驗數據計算得到太陽光輻照下面陣CCD的串擾閥值范圍和暫時致盲閥值范圍。

　　3、532nm連續激光輻照可見光面陣CCD。

　　①通過實驗獲得了面陣CCD的光斑飽和圖像、串擾圖像以及過飽和圖像；根據實驗數據計算得到面陣CCD相機入瞳處激光功率密度為3.4×101lw/cm2，2.2×105w/cm2，1.3×103w/cm2時，可見光面陣CCD圖像分別出現像元飽和、串擾以及過飽和現象。

　　②使用相同光斑尺寸的532nm連續激光與超連續譜光源分別輻照可見光面陣CCD，根據實驗數據計算得到面陣CCD光敏面飽和閥值和光敏面單個像元飽和閥值，并對閥值結果進行了比較。③實驗研究了532nm連續激光不同入射條件對可見光面陣CCD干擾效果的影響，結果表明：適當改變入射條件，可使得輻照光對面陣CCD的干擾效果優于光束準平行入射下的干擾效果。

　　4.對超連續譜光源和532mm連續激光輻照可見光面陣CCD的實驗數據進行了數值擬合，驗證了飽和像元數隨光功率密度變化的經驗公式：lg（N）=Axlg（D+B。