1.什么是FRAM？

FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數據。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。

2. FRAM較之閃存/EEPROM具有哪些主要優勢？

1）速度。FRAM具有快速寫入的特性。寫入到FRAM存儲器單元的實際時間小于50ns，這超越了所有其他存儲器的類似操作。這大約比EEPROM快1000倍。此外，與需要兩步（寫入命令和隨后的讀取／驗證命令）才能寫入數據的EEPROM不同，FRAM的寫入操作與讀取操作發生在同一過程中。只提供一個存儲器訪問命令，實現讀取或寫入功能。因此，與EEPROM寫入處理相關聯的所有時間實際上在基于FRAM的智能IC中被有效地消除了。

2）低功耗。在低電壓下寫入FRAM單元，并且只需很低的電流即可更改數據。對于EEPROM，則需要高電壓。FRAM使用非常低的電源電壓一一1.5V，而EEPROM則使用10-14V電源電壓。FRAM的低電壓意味著詆功耗，同時能夠在更快的處理速度下實現更多功能。

3）數據可靠性。由于只需要少量能量，因此操作FRAM所需的所有能量在數據寫入開始時就被預先加載。這就避免了“數據分裂”一由于能源缺乏的關系導致部分數據在寫入時被破壞。基于EEPROM的智能IC在寫周期內被從射頻（RF）磁場電源中移除時就會出現這種情況。此外，FRAM還具有100兆次的寫入讀取數或更多一一遠遠超過了EEPROM的寫入數量。