本編程手冊介紹了如何對STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存進行編程。為方便起見，除非另有規定，否則本文件其余部分將稱為STM32F10XXX。

　　STM32F10XXX嵌入式閃存可通過電路內編程或應用程序編程進行編程。

　　電路內編程（ICP）方法用于更新閃存的全部內容，使用JTAG、SWD協議或引導加載程序將用戶應用程序加載到微控制器中。國際比較項目提供了快速和有效的設計迭代，并消除了不必要的包裝處理或設備套接。

　　與ICP方法相比，應用程序編程（IAP）可以使用微控制器支持的任何通信接口（I/OS、USB、CAN、UART、I2C、SPI等）將編程數據下載到內存中。IAP允許用戶在應用程序運行時重新編程閃存。然而，部分應用程序必須事先使用ICP在閃存中進行編程。

　　閃存接口基于AHB協議實現指令訪問和數據訪問。它實現了一個預取緩沖區，加速了CPU代碼的執行。它還執行執行閃存操作（程序/擦除）所需的邏輯。程序/擦除操作可以在整個產品電壓范圍內執行。還實現了讀/寫保護和選項字節。

　　本節介紹如何讀取或編程到STM32F10XXX嵌入式閃存。

　　嵌入式閃存模塊可以作為公共存儲空間直接尋址。任何數據讀取操作都通過專用的讀取感測器訪問閃存模塊的內容，并提供請求的數據。

　　讀接口包括一個讀控制器在一邊訪問閃存和一個AHB接口在另一邊與CPU接口。讀取接口的主要任務是生成控制信號，從閃存中讀取，并預取CPU所需的塊。預取塊僅用于通過I代碼總線獲取指令。通過D代碼總線訪問文本池。由于這兩條總線與目標具有相同的閃存，所以D代碼總線訪問優先于預取訪問。

　　本節簡要定義了本文件中使用的縮略語和縮略語：

　　●低密度設備為STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器，其中閃存密度在16至32千字節之間。

　　●中密度設備為STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器，其中閃存密度在64至128千字節之間。

　　●高密度設備為STM32F101xx和STM32F103xx微控制器，其中閃存密度在256至512 kbytes之間。

　　●Cortex-M3核心集成了兩個調試端口：

　　-JTAG調試端口（JTAG-DP）提供基于聯合測試行動組（JTAG）協議的5針標準接口。

　　–SWD調試端口（SWD-DP）提供基于串行線調試（SWD）協議的2針（時鐘和數據）接口。對于JTAG和SWD協議，請參考Cortex M3技術參考手冊。

　　●字：32位長度的數據/指令

　　●半字：16位長度的數據/指令

　　●字節：8位長度的數據

　　●fpec（閃存程序/擦除控制器）：對主存儲器和信息塊的寫入操作由嵌入式閃存程序/擦除控制器（fpec）管理。

　　●iap（在應用程序編程中）：iap是在用戶程序運行時對微控制器的閃存重新編程的能力。

　　●ICP（電路編程）：ICP是在設備安裝在用戶應用板上時，使用JTAG協議、SWD協議或引導加載程序對微控制器的閃存進行編程的能力。

　　●I-代碼：該總線將Cortex-M3內核的指令總線連接到Flash指令接口。在此總線上執行預取。

　　●D-代碼：該總線將Cortex-M3的D-代碼總線（文字加載和調試訪問）連接到閃存數據接口。

　　●選項字節：存儲在閃存中的產品配置位

　　●obl：可選字節加載器。

　　●AHB：高級高性能總線。