SST38VF6401、 SST38VF6402、 SST38VF6403 和 SST38VF6404 器件是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash 技術制造的 4M x16 CMOS 高級多用途閃存 +（Advanced MPF+）器件。與其他方法相比，分離柵極單元設計和厚氧化層隧穿注入器可實現更高的可靠性和可制造性。 SST38VF6401/ 6402/6403/6404 使用 2.7-3.6V 電源進行寫操作 （編程或擦除）。這些器件遵從 x16 存儲器的 JEDEC 標準引腳分配。 SST38VF6401/6402/6403/6404 具有高性能的字編程能力，其典型字編程時間為 7 μs。寫緩沖區編程功能的典型字編程時間為 1.75 μs，可支持更快速的字編程性能。這些器件使用翻轉位或數據 # 查詢來指示編程操作是否完成。除了單字讀取之外， Advanced MPF+ 器件還提供了頁讀功能，對于同一頁上的字，可支持 25 ns 的更快字讀取時間。為了防止意外寫操作，SST38VF6401/6402/6403/6404 提供了片上硬件和軟件數據保護方案。這些器件針對一系列廣泛應用進行設計、制造和測試，可擦寫次數為 100，000 次 （最小值）。數據額定保存時間則大于 100 年。 SST38VF6401/6402/6403/6404 適用于需要方便且經濟地更新程序、配置或數據存儲器的應用。對于所有系統應用， Advanced MPF+ 都可以顯著提高性能和可靠性，同時降低功耗。相較于其他閃存技術，這些器件本質上在擦除和編程期間消耗的能量更低。消耗的總能量是應用中施加電壓、電流和時間的函數。對于任何給定的電壓范圍，SuperFlash 技術的編程電流更低、擦除時間更短；因此，在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量低于其他閃存技術。在降低程序、數據和配置存儲應用成本的同時，這些器件還可以提高靈活性。SuperFlash 技術支持固定的擦除和編程時間，時間與所發生的擦除 / 編程周期數無關。因此，系統軟件或硬件不需要進行修改或降額，這一點不同于其他一些擦除和編程時間會隨擦除 / 編程周期數累積而增加的閃存技術。 SST38VF6401/6402/6403/6404 還提供了靈活的數據保護功能。需要通過存儲器保護功能來防止編程和擦除操作的應用可以使用引導塊保護、獨立塊保護和高級保護功能。對于需要永久性解決方案的應用，可通過不可逆塊鎖定功能為存儲塊提供永久性保護。為了滿足高密度、表面貼裝的要求，SST38VF6401/6402/6403/6404 器件提供了 48 引腳 TSOP 和 48 球 TFBGA 封裝。關于引腳分配，請參見圖 2 和圖 3 ；關于引腳說明，請參見表 1。