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光刻蝕
這是目前的CPU 制造過(guò)程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟，為什么這么說(shuō)呢？ 光刻蝕過(guò)程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕，由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為嚴(yán)格，需要使用短波長(zhǎng)的紫外線和大曲率的透鏡。設(shè)計(jì)刻蝕過(guò)程還會(huì)受到晶圓上的污點(diǎn)的影響。每一步刻蝕都是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程。每一步過(guò)程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB 的單位來(lái)計(jì)量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過(guò)20 步（每一步進(jìn)行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多把整倍的話，可以和整個(gè)紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜，試想一下，個(gè)紐約地圖縮小到實(shí)際面積大小只有100 個(gè)平方毫米的芯片上，那么這個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)有多么復(fù)雜，可想而知了吧。當(dāng)這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)。短波長(zhǎng)光線透過(guò)石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過(guò)化學(xué)方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而- 二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。監(jiān)測(cè)自動(dòng)濕刻蝕工具中的晶圓，該工藝可清除晶圓上多余的操作助劑或者污染物。
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