資料介紹
超大規(guī)模集成電路技術(shù)系統(tǒng)地介紹了超大規(guī)模集成電路工藝?yán)碚摵凸に嚪椒āH珪簿耪拢ü饪獭诫s、氧化及熱處理、薄膜工藝基礎(chǔ)與物理氣相沉積、化學(xué)汽相沉積、刻蝕、平坦化與多重內(nèi)連線工藝及超大規(guī)模集成電路工藝匯總等。重點介紹亞微米、半亞微米前道加工技術(shù)及相關(guān)工藝設(shè)備,也介紹了特征尺寸達到0.18μm、硅圓晶片直徑為300mm(12英寸)及256Mb DRAM的有關(guān)動態(tài)。
本書可作為高等院校半導(dǎo)體、電子工程、固體物理等相關(guān)專業(yè)的教材或教學(xué)參考書,也可供從事超大規(guī)模集成電路研究、生產(chǎn)的科技人員及超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)設(shè)備的研究、生產(chǎn),技術(shù)支持人員參考。
"超大規(guī)模集成電路技術(shù)基礎(chǔ)"的圖書目錄……緒論
第一章 硅的晶體結(jié)構(gòu)
第二章 光刻
第三章 摻雜
第四章 氧化及熱處理
第五章 薄膜工藝基礎(chǔ)與物理氣相沉積
第六章 化學(xué)汽相沉積(VCD)
第七章 刻蝕
第八章 平坦化及多重內(nèi)連線工藝
第九章 超大規(guī)模集成電路工藝匯總
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