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本文實現(xiàn)了一個采用三位三階ΔΣ調(diào)制器的高頻譜純度集成小數(shù)頻率合成器. 該頻率合成器采用了模擬調(diào)諧和數(shù)字調(diào)諧組合技術(shù)來提高相位噪聲性能,優(yōu)化的電源組合可以避免各個模塊之間的相互干擾,并且提高鑒頻鑒相器的線性度和提高振蕩器的調(diào)諧范圍. 通過采用尾電流源濾波技術(shù)和減小振蕩器的調(diào)諧系數(shù),在片壓控振蕩器具有很低的相位噪聲,而通過采用開關(guān)電容陣列,該壓控振蕩器達(dá)到了大約100MHz 的調(diào)諧范圍,該開關(guān)電容陣列由在片數(shù)字調(diào)諧系統(tǒng)進(jìn)行控制. 該頻率合成器已經(jīng)采用0118μm CMOS 工藝實現(xiàn),仿真結(jié)果表明,該頻率頻率合成器的環(huán)路帶寬約為14kHz ,最大帶內(nèi)相位噪聲約為- 106dBc/ Hz ;在偏離載波頻率100kHz 處的相位噪聲小于- 120dBc/ Hz ,具有很高的頻譜純度. 該頻率合成器還具有很快的反應(yīng)速度,其鎖定時間約為160μs.
關(guān)鍵詞: ΔΣ調(diào)制器; 頻率合成器; 壓控振蕩器; 鎖相環(huán)
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