《實用模擬電路設計》是湯普森博士20年模擬電路設計和教學經驗的總結，講述了模擬電路與系統設計中常用的直觀分析方法。《實用模擬電路設計》提出了“模擬電路直觀方法學”，力圖幫助學生和設計人員擺脫復雜的理論推導與計算，充分利用直觀知識來應對模擬電路工程設計挑戰。全書共分為16章，內容涵蓋了二極管、晶體管、放大器、濾波器、反饋系統等模擬電路的基本知識與設計方法。《實用模擬電路設計》深入淺出，易學易懂，既適合作為大中專院校的教材與教學參考書，也可用作模擬電路設計人員的參考手冊。

第1章 引言

1.1 模擬設計仍然必不可少

1.2 模擬集成電路技術早期發展歷史

1.3 數字實現與模擬實現比較

1.4 模擬電路設計者有挑戰也有樂趣

1.5 命名規則說明

1.6 內容說明

1.7 參考文獻

1.8 美國專利

第2章 信號處理基礎知識回顧

2.1 拉普拉斯變換、傳遞函數和零極點圖

2.2 一階系統響應

2.2.1 一階系統的低頻和高頻響應估計

2.2.2 一階系統的短時階躍響應

2.2.3 一階系統附加額外高頻極點

2.3 二階系統

2.3.1 彈簧振子系統

2.3.2 一個二階電路系統

2.3.3 品質因數Q

2.3.4 二階系統的瞬態響應

2.3.5 二階電路系統附加額外的高頻極點

2.3.6 實軸極點分布間隔較大的二階系統

2.3.7 從傳遞函數的分母求解極點的大致位置

2.4 諧振電路

2.5 使用能量法分析無阻尼諧振電路

2.6 傳遞函數、零極點圖以及伯德圖

2.7 級聯系統的上升時間

2.8 本章習題

2.9 參考文獻

第3章 二極管物理學、理想(及非理想)二極管

導電性能介于導體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導體。在電子器件中，常用的半導體材料有：元素半導體，如硅（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）等；以及摻雜或制成其它化合物半導體材料，如硼（B）、磷（P）、錮（In）和銻（Sb）等。

3.1 絕緣體、良導體和半導體內的電流

3.2 電子和空穴

3.3 漂移、擴散、復合和產生

3.3.1 漂移

3.3.2 擴散

3.3.3 產生和復合

3.3.4 半導體內的總電流

3.4 半導體的摻雜效應

3.4.1 施主(donor)摻雜材料

3.4.2 受主(acceptor)摻雜材料

3.5 熱平衡狀態的PN結

3.6 施加正向偏置電壓的PN結

3.7 反向偏置二極管

3.8 理想二極管方程

3.9 二極管內的電荷存儲

3.10 正向偏置二極管內的電荷存儲

3.11 雙極性二極管的反向恢復

3.12 反向擊穿

3.13 二極管數據手冊

3.14 肖特基二極管

3.15 本章習題

3.16 參考文獻

第4章 雙極性晶體管模型

4.1 歷史點滴

4.2 基本NPN型晶體管

4.3 處于不同工作區的晶體管模型

4.4 雙極性晶體管的低頻增長模型

4.5 雙極性晶體管的高頻增長模型

4.6 閱讀晶體管數據手冊

4.6.1 大信號參數(βF、VCE,SAT)

4.6.2 小信號參數(hfe、Cμ、Cπ和的rx)

4.7 “混合π”模型的限制

4.8 本章習題

4.9 參考文獻

第5章 基本雙極性晶體管放大器及其偏置設置

5.1 晶體管偏置設置

5.2 某些晶體管放大器

5.2.1 共射極放大器

5.2.2 射極跟隨器的增益、輸入電阻和低頻輸出電阻

5.2.3 差分放大器

5.3 本章習題

5.4 參考文獻

第6章 開路時間常數方法與帶寬估計技術

6.1 時間常數介紹

6.2 晶體管放大器實例

6.3 本章習題

6.4 參考文獻

第7章 晶體管放大器高級技術

7.1 復雜電路開路時間常數計算

7.2 射隨器緩沖電路的高頻輸出和輸入電阻

7.3 自舉電路

7.4 短路時間常數

7.5 極點分裂技術

7.6 本章習題

7.7 參考文獻

第8章 高增益雙極性放大器和BJT電流鏡

8.1 增大混合π模型的需求

8.2 基區寬度調制

8.3 從晶體管數據手冊查閱晶體管參數

8.4 驅動電流源負載的共射極放大器

8.5 搭建電路模塊

8.5.1 雙極性電流源的增長輸出電阻

8.5.2 射隨器的增長輸入電阻

8.5.3 電流鏡

8.5.4 發射極退化的基本電流鏡

8.5.5 “β助推器”電流鏡

8.5.6 Wilson電流鏡

8.5.7 共射共基放大器電流鏡

8.5.8 Widlar電流鏡

8.6 本章習題

8.7 參考文獻

第9章 MOSFET器件與基本MOS放大器簡介

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

9.1 場效應晶體管早期歷史

9.2 基本MOS器件的定性討論

9.3 MOS器件的V/I曲線

9.4 MOS器件的低頻小信號模型

9.5 MOS器件的高頻小信號模型

9.6 基本MOS放大器

9.6.1 源極跟隨器

9.6.2 共源極放大器

9.6.3 共柵極放大器

9.6.4 MOS電流鏡

9.7 本章習題

9.8 參考文獻

第10章 雙極性晶體管開關與電荷控制模型

10.1 概述

10.2 開關模型的推導過程

10.3 反向放大區

10.4 飽和

10.5 結電容

10.6 電荷控制參數與混合π參數的關系

10.7 從數據手冊中獲取結電容值

10.8 制造商測試

10.9 電荷控制模型實例

10.10 發射極開關

10.11 2N2222數據手冊摘錄

10.12 本章習題

10.13 參考文獻

第11章 反饋系統

反饋又稱回饋，是控制論的基本概念，指將系統的輸出返回到輸入端并以某種方式改變輸入，進而影響系統功能的過程。反饋可分為負反饋和正反饋。前者使輸出起到與輸入相反的作用，使系統輸出與系統目標的誤差減小，系統趨于穩定；后者使輸出起到與輸入相似的作用，使系統偏差不斷增大，使系統振蕩，可以放大控制作用。對負反饋的研究是控制論的核心問題。另外有電流負反饋的理論。

11.1 反饋系統基本知識與早期歷史點滴

11.2 負反饋放大器的發明

11.3 控制系統基礎

11.4 環路傳輸與干擾抑制

11.5 穩定性

11.6 勞斯穩定性準則

11.7 相位裕度與增益裕度測試

11.8 阻尼系數和相位裕度的關系

11.9 環路補償技術——超前電路與滯后電路

11.10 反饋環路簡介

11.11 附錄：MATLAB腳本

11.12 本章習題

11.13 參考文獻

第12章 運算放大器的基本電路結構與實例分析

12.1 器件的基本工作特性

12.2 運算放大器LM741電路的簡短回顧

12.3 運算放大器的一些實際限制因素

12.4 本章習題

12.5 參考文獻

第13章 電流反饋運算放大器

13.1 傳統電壓反饋運算放大器及其“增益帶寬乘積”常數

13.2 傳統運算放大器的轉換速率限制

13.3 電流反饋運算放大器基礎

13.4 電流反饋運算放大器無轉換速率極限

13.5 電流反饋放大器的制造商數據手冊信息

13.6 電流反饋運算放大器的更精細模型及其限制因素評論

13.7 本章習題

13.8 參考文獻

第14章 模擬低通濾波器

14.1 引言

14.2 低通濾波器基礎知識

14.3 巴特沃思濾波器

14.4 切比雪夫濾波器

14.5 貝塞爾濾波器

14.6 不同類型濾波器響應比較

14.7 濾波器實現

14.7.1 梯形濾波器(Ladder)

14.7.2 濾波器實現——有源方式

14.7.3 橢圓(“磚墻”)濾波器

14.7.4 全通濾波器

14.8 本章習題

14.9 參考文獻

第15章 無源元件綜述與PCB設計案例研究

15.1 電阻

15.2 貼片電阻簡介

15.3 電阻類型

15.4 電容

15.5 電感

15.6 PCB設計問題討論

15.6.1 供電電源旁路

15.6.2 接地平面

15.6.3 PCB線寬

15.7 接地平面上PCB走線的大致電感

15.8 本章習題

15.9 參考文獻

第16章 實用設計技術與其他

16.1 熱電路

16.2 熱傳導的穩態模型

16.3 熱量存儲

16.4 使用熱電路類比技術確定靜態半導體的結溫

16.5 機械電路類比技術

16.6 跨導線性原理

16.7 無限長電阻梯形網絡的輸入電阻

16.8 傳輸線基礎(Transmission Lines 101)

16.9 節點方程與克萊姆法則

16.10 求解振蕩模式

16.11 尺度定律應用簡介

16.11.1 幾何尺度定律

16.11.2 魚/船的速度(弗勞德定律)

16.11.3 樹上的果實

16.11.4 撓矩(bending moment)

16.11.5 身體的尺寸和熱量(伯格曼定律)

16.11.6 身高與跳躍(博雷利定律)

16.11.7 步行速度(弗勞德定律)

16.11.8 電容

16.11.9 電感

16.11.10 電磁場的升力

16.12 本章習題

16.13 參考文獻