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本文簡(jiǎn)要介紹通信用整流器發(fā)展過(guò)程、器件發(fā)展對(duì)電路的影響、當(dāng)前電路方案、移相橋的改進(jìn)、硯電乎變換器、只相單管及二管功率因數(shù)校正、單級(jí)整流器等。
通信電源整流器變換器功率因數(shù)校正綜述
MO SF ET 與IGBT在向高電壓、大電流、低通態(tài)電阻或壓降、快速(低柵荷)、開關(guān)管內(nèi)反向并聯(lián)快速二極管或肖特基(Schottky)二極管等多方向發(fā)展，例如:MOSFET單管有1200V, 32A, 0.35。的，IGBT單管有1700V, 72A, 3.3 0的，還有高達(dá)2500V的，可用于二相380V直接輸人的電路，提供了電路發(fā)展的機(jī)會(huì)，可研制出三相有一個(gè)開關(guān)管操作的整流器。又如600V,40A的快速IGBT通態(tài)壓降2V，關(guān)斷延時(shí)時(shí)間200ns,電流下降時(shí)間200ns;相應(yīng)的500V,44 A快速M(fèi)OSFET通態(tài)電阻0.12 S1，關(guān)斷延時(shí)時(shí)間53ns,電流下降時(shí)間8ns。可見快速M(fèi)OSFET比快速1GBT的關(guān)斷速度仍然快許多倍，可減小電路的關(guān)斷損耗將低壓的MOSFET與低壓的(正向壓降小的)肖特基二極管封裝在一起，
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