資料介紹
處理增強型氮化鎵技術
硅功率MOSFET為電路設計者提供了許多好處,使它成為許多應用中的明顯選擇。它提供了高開關速度和低導通電阻,不像前面的雙極晶體管,MOSFET不遭受熱失控。制造技術的進一步進步,使得可以使用垂直配置,并行地提供許多單個晶體管的設備,進一步降低它們的電阻。
經過幾十年的時間,制造商已經改進了基本的設計,在電阻和擊穿電壓方面制定了新的標準。然而,這些參數一般需要在MOSFET設計中相互折衷。提高擊穿電壓的技術傾向于提高電阻。作為一個結果,逐漸被如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)競爭器件擊穿電壓額定值,需要較高的應用與MOSFET。
一種選擇是更換材料。氮化鎵(氮化鎵)和碳化硅是硅的潛在替代品,由于這些材料具有更高的帶隙,能夠支持擊穿電壓的大幅度提高而不影響電阻,如圖1所示。
Figure 1: Graph of on-resistance versus breakdown voltage for silicon, SiC, and GaN, showing recently introduced GaN transistors.
Both SiC and GaN have a higher critical electric field strength than silicon, giving them a superior relationship between on-resistance and breakdown voltage. This allows devices to be made smaller and the electrical terminals brought closer together for a given breakdown-voltage requirement.
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