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These FDmesh? II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure， these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters
In order to meet environmental requirements， ST offers these devices in different grades of ECOPACK? packages， depending on their level of environmental compliance. ECOPACK? specifications， grade definitions and product status are available at： www.st.com. ECOPACK is an ST trademark.
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