資料介紹
These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics‘ SuperMESH? technology, achieved through optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to a significant reduction in onresistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of ECOPACK? packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK? specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com. ECOPACK? is an ST trademark.
- N 溝道 60V,4.0 mΩ 標準電平 MOSFET,采用 TO220F(SOT186A)-PSMN3R9-60XS
- N 溝道 60 V 7.8 mΩ 標準電平 MOSFET,采用 TO220F(SOT186A)-PSMN7R6-60XS
- N 溝道 60V,2.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET,采用 SOT78 封裝-PSMN2R5-60PL
- 采用 SOT78 封裝的N溝道 60V,2.6 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN2R6-60PS
- N 溝道 60V,3.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET,采用 SOT78 封裝-PSMN3R3-60PL
- N 溝道 60V,3.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET,采用 SOT78 封裝-PSMN4R2-60PL
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