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The ADG636 is a monolithic device， comprising two independently selectable CMOS single pole， double throw （SPDT） switches. When on， each switch conducts equally well in both directions. The ADG636 operates from a dual ±2.7 V to ±5.5 V supply， or from a single supply of +2.7 V to +5.5 V. This switch offers ultralow charge injection of ±1.5 pC over the entire signal range and leakage current of 10 pA typical at 25°C. In addition， it offers on resistance of 85 Ω typical， which is matched to within 2 Ω between channels. The ADG636 also has low power dissipation yet is capable of high switching speeds. The ADG636 exhibits break-before-make switching action and is available in a 14-lead TSSOP package.
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