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傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當集成上橋臂MOSFET打開后，負載電流就會從其中通過。漏-源通道電阻（RDSON）產(chǎn)生的功率耗散可以用公式1表示：
其中D =
= 占空比
對于LM2673這樣的非同步設(shè)備，在集成MOSFET關(guān)閉時，二極管被正向偏置。在此期間，電感電流通過輸出電容器、負載和正向偏置二極管降低。負載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示：
其中VF是選定二極管的正向電壓降。
除了集成MOSFET與鉗位二極管中的傳導(dǎo)損耗，電感器中也有傳導(dǎo)損耗，因為每一個電感器都有有限的直流電阻（DCR），即線圈中導(dǎo)線的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散：
傳導(dǎo)損耗取決于負載電流。負載增大時，MOSFET中的傳導(dǎo)損耗會增加，而且是主要損耗因素。傳導(dǎo)損耗及開關(guān)、驅(qū)動和內(nèi)部低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的損耗會產(chǎn)生很多的熱量，增加集成電路（IC）的結(jié)溫。增加的結(jié)溫可以用公式4表示：
其中ICTj是IC的結(jié)溫，TA是環(huán)境溫度，θJA是IC到空氣的熱阻，ICPd是IC中總功率耗散。
其中D =
= 占空比對于LM2673這樣的非同步設(shè)備，在集成MOSFET關(guān)閉時，二極管被正向偏置。在此期間，電感電流通過輸出電容器、負載和正向偏置二極管降低。負載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示：
其中VF是選定二極管的正向電壓降。
除了集成MOSFET與鉗位二極管中的傳導(dǎo)損耗，電感器中也有傳導(dǎo)損耗，因為每一個電感器都有有限的直流電阻（DCR），即線圈中導(dǎo)線的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散：
傳導(dǎo)損耗取決于負載電流。負載增大時，MOSFET中的傳導(dǎo)損耗會增加，而且是主要損耗因素。傳導(dǎo)損耗及開關(guān)、驅(qū)動和內(nèi)部低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的損耗會產(chǎn)生很多的熱量，增加集成電路（IC）的結(jié)溫。增加的結(jié)溫可以用公式4表示：
其中ICTj是IC的結(jié)溫，TA是環(huán)境溫度，θJA是IC到空氣的熱阻，ICPd是IC中總功率耗散。
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