木發(fā)明涉及一種背接觸晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法。選擇P型或N型晶體硅硅片為襯底，經(jīng)常規(guī)清洗和表面織構(gòu)化后，在硅片的背表面淀積摻雜源。然后利用激光對(duì)欲彤成摻雜區(qū)的區(qū)域進(jìn)jJ：加熱，使摻雜源中的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入硅片中。 面沒有激光加熱的區(qū)域溫度較低，摻雜源不會(huì)進(jìn)入硅片。激光處理結(jié)術(shù)后，用水或其它溶劑占除賤留的摻雜源。這樣，就在限定的區(qū)域形成了摻雜區(qū)。采用這種方法，可以簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)背表面限定區(qū)域內(nèi)的摻雜。 然后利用絲網(wǎng)印刷、光刻、或真空蒸發(fā)、濺射等常規(guī)方法分別制各發(fā)射區(qū)和基區(qū)電極，并完成電池的制作。用這種方法制備背接觸電池，可以明顯簡(jiǎn)化電池的制作工藝，減少工藝成本。

　　1．一種背接觸晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其步驟包括：

　　（1）采用厚度為100～500 u m，電阻率為0.2～ooo Q cm的P型或N型晶體硅作為襯底；

　　（2）用常規(guī)方法在所述硅襯底正表面作表面織構(gòu)化：然后作常規(guī)清洗；

　　（3）在所述硅襯底背表面，淀積摻雜源；淀積方法包括噴涂、印刷以及其它常規(guī)的淀積方法；

　　（4）利用激光對(duì)欲形成摻雜區(qū)的區(qū)域進(jìn)行加熱形成摻雜區(qū)；

　　（6）采用常規(guī)的絲網(wǎng)日J(rèn)刷、真空蒸發(fā)或?yàn)R射方法，在所述摻雜區(qū)上制備基區(qū)或發(fā)射區(qū)金屬電極。

　　2．如權(quán)利要求1所述的一種背接觸晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于：所述摻雜源為含磷、或銻、或硼、或鋁、或鎵等III族或V族摻雜劑的化合物或混合物。

　　3．如權(quán)利要求l所述的一種背接觸晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于：形成摻雜區(qū)的方法為激光加熱。激光的波長(zhǎng)為400～1200nm，加熱溫度800～1400℃。

　　4．如權(quán)利要求l、3所述的一種背接觸晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于：所述摻雜區(qū)為N型或P型，按照與襯底導(dǎo)電類型相同或相反，分別作為背接觸電池的基區(qū)接觸區(qū)或發(fā)射區(qū)。