資料介紹
IR2110是一種高壓高速功率MOSFET驅(qū)動器,有獨立的高端和低端輸出驅(qū)動通道,其內(nèi)部功能原理框圖如圖1所示。它包括輸入/輸出邏輯電路、電平移位電路、輸出驅(qū)動電路欠壓保護和自舉電路等部分。各引出端功能分別是:1端(LO)是低通道輸出;2端(COM)是公共端;);3端(VCC)是低端固定電源電壓;5端(US)是高端浮置電源偏移電壓;6端(UB)是高端浮置電源電壓;7端(HO)是高端輸出;9端(VDD)是邏輯電路電源電壓;10端(HIN)是高通道邏輯輸入;11端(SD)是輸入有效與否的選擇端,可用來過流過壓保護;12端(LIN)是低通道輸入;13端(VSS)是邏輯電路的地端。
如圖所示:在BUCK變換器中只需驅(qū)動單個MOEFET,因此僅應(yīng)用了IR2110的高端驅(qū)動,此時將12端(LIN)低通道輸入接地、1端(LO)低通道輸出懸空。5端(US)和6端(UB)間連接一個自舉電容C1,自舉電容通常為和并聯(lián)使用。正常工作時,電源對自舉電容C1的充電是在續(xù)流二級管D1的導(dǎo)通期間進行。此時,MOEFET截止,其源極電位接近地電位,,+12v電源通過D2給C1充電,使C1上的電壓接近+12v,當(dāng)MOEFET導(dǎo)通而D1截止時,C1自舉,D2截止,C1上存儲電荷為IR2110的高端驅(qū)動輸出提供電源。
實際應(yīng)用中,邏輯電源VDD接+5V,低端固定電源電壓VCC接+12V;對驅(qū)動電路測試時需將VS端接地。
自舉電容C1的值不能太小,否則其上的自舉電壓達(dá)不到12V,驅(qū)動脈沖的幅值不夠!自舉電容通常為和并聯(lián)使用或(105)。
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