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抗輻照DAC芯片LDO電路和版圖設計-
本文所設計的無片外電容LDO要求在5V-6.3V輸入范圍內穩定輸出4.8V的電壓，最低壓差為200mv，由于本文所設計的LDO是給數字電路提供電源電壓，因此不僅要保證LDO的輸出精度，而且對電路的負載瞬態響應要求很高。本文分析對比了傳統LDO和無片外電容LDO在負載瞬態響應性能上的差異，結合目前已有的無片外電容LDO負載瞬態增強電路，提出了適合本文的瞬態增強方案。本文所設計的LDO為三級結構，第一級為折疊式共源共柵誤差放大器，第二級為緩沖器，第三級為PMOS功率調整管，本文所采用的頻率補償方案為嵌套式密勒補償（NMC），本文在負載瞬態增強方案中不僅通過第二級緩沖器增大調整管的柵端壓擺率，并且還增加了額外的瞬態增強電路，進一步改善系統的負載瞬態響應。
本文使用Dongbu HiTek BCD 0.18um工藝庫完成了電路每個模塊的設計和整體仿真，最終在電源電壓為5v，負載電容為50pF，溫度為27攝氏度時的仿真結果為：最小壓差為200mV，最大可驅動負載為100mA，負載調整率為0.2493（uV/mA），線性調整率為0.197（mV/V），整個環路的低頻增益最少為97dB，系統的相位裕度最小為75度，電源抑制比最小為84dB（100Hz），負載電流為從2mA-100mA的階躍電流時，輸出端的最大過沖電壓僅為37.7mV，最后利用環柵MOS管完成整體電路的版圖。整體而言，本文所設計的無片外電容LDO符合本文的設計要求。
關鍵詞：抗輻照，無片外電容LDO，瞬態增強
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| 抗輻照DAC芯片LDO電路和版圖設計.pdf | 9M |
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