SDRAM 與 Flash 不同，它不具有掉電保持數(shù)據(jù)的特性，但其存取速度大大高于 Flash 存儲器，且具有讀/寫的屬性，因此 SDRAM 在系統(tǒng)中主要用作程序的運行空間，數(shù)據(jù)及堆棧區(qū)。當(dāng)系統(tǒng)啟動時，CPU 首先從復(fù)位地址 0x0 處讀取啟動代碼，在完成系統(tǒng)的初始化后，程序代碼一般應(yīng)調(diào)入 SDRAM 中運行，以提高系統(tǒng)的運行速度，同時，系統(tǒng)及用戶堆棧、運行數(shù)據(jù)也都放在 SDRAM 中。

　　SDRAM 具有單位空間存儲容量大和價格便宜的優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用在各種嵌入式系統(tǒng)中。 SDRAM 的存儲單元可以理解為一個電容，總是傾向于放電，為避免數(shù)據(jù)丟失，必須定時刷新（充電）。因此，要在系統(tǒng)中使用 SDRAM，就要求微處理器具有刷新控制邏輯，或是在系統(tǒng)中另外加入刷新控制邏輯電路。S3C4510B 和 S3C44B0X 芯片及其他一些 ARM 芯片在片內(nèi)具有獨立的 SDRAM 刷新控制邏輯，可方便地與 SDRAM 接口。但某些 ARM 芯片則沒有 SDRAM 刷新控制邏輯，不能直接與 SDRAM 接口，在進行系統(tǒng)設(shè)計時應(yīng)注意這一點。

　　SDRAM 是高速的動態(tài)隨機存取存儲器，它的同步接口和完全流水線的內(nèi)部結(jié)構(gòu)使其擁有極大的數(shù)據(jù)速率，目前 SDRAM 時鐘頻率已達 100MHz 以上。另外它們的行、列地址線共用，由行地址選通（（CAS）、列地址選通（RAS）信號分時控制。基本存儲單元是內(nèi)存芯片中儲存信息的最小的單位，每個存儲單元可以存儲 1bit 的信息，并且有一個由行地址和列地址共同定義的唯一的地址。我們都知道 8bit 可以在一起組成 1byte（這也就意味著 lbyte 具有 256 種可能的數(shù)值），而字節(jié)是內(nèi)存中最小的可尋址的單元。雖然內(nèi)存基本存儲單元具有唯一的地址，但是并不能進行獨立的尋址，這將要求內(nèi)存芯片有數(shù)以百計的引腳同計算機通信，顯然這是不可能的。現(xiàn)在內(nèi)存架構(gòu)是處于同一列的基本存儲單元共用一條列地址線，而處于同一行的基本存儲單元共用一條行地址線，組成一個基本存儲單元構(gòu)成的矩陣架構(gòu)。而這些矩陣架構(gòu)構(gòu)成一個內(nèi)存 Bank，SDRAM 內(nèi)部以 Bank 為組織，可由行、列地址尋址。另外為了保持內(nèi)部數(shù)據(jù)還必須進行刷新。