AT93C46/56/66是Atmel公司生產的低功耗、低電壓、電可擦除、可編程只讀存儲器，采用CMOS工藝技術制造并帶有３線串行接口，其容量分別為1kB/4kB，可重復寫100萬次，數據可保存100年以上。文中介紹了該存儲器的引腳功能和指令時序，給出了AT93C46/56/66和單片機的接口應用電路和軟件程序。ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６是ＡＴＭＥＬ公司推出的低功耗、低電壓電可擦除的可編程只讀存儲器。它采用ＣＭＯＳ技術和Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ 公司的Ｍｉ-ｃｒｏＷｉｒｅ工業標準３線串行接口，具有１ｋＢ／２ｋＢ／４ｋＢ的容量，并可通過ＯＲＧ管腳配置成１２８×８／２５６×８／５１２×８或６４×１６／１２８×１６／２５６×１６等結構。該系列存儲器可靠性高，能夠重復寫１００萬次，數據可以保存１００年不丟失；采用８腳ＰＤＩＰ／ＳＯＩＣ封裝和１４腳ＳＯＩ封裝（ＳＯＩ封裝為ＪＥＤＥＣ和ＥＩＡＪ標準），與并行的ＥＥＰＲＯＭ相比，ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６可大大節省印制板空間，且接線簡單，因而在多功能的精密測試儀中具有廣闊的前途。ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６存儲器芯片的引腳排列如圖１所示。各引腳的功能如下：
ＣＳ：片選信號。高電平有效，低電平時進入等待模式。在連續的指令之間，ＣＳ信號必須持續至少２５０ｎｓ的低電平，才能保證芯片正常工作。
ＣＬＫ：串行時鐘信號。在ＣＬＫ的上升沿，操作碼、地址和數據位進入器件或從器件輸出。在發送序列時，ＣＬＫ最好不停止，以防止讀／寫數據的錯誤。
ＤＩ：串行數據輸入。可在ＣＬＫ的同步下輸入開始位、操作碼、地址位和數據位。
ＤＯ：串行數據輸出。在ＣＬＫ同步下讀周期時，用于輸出數據；而在地址擦／寫周期或芯片擦／寫周期時，該端用于提供忙／閑信息。
ＶＳＳ：接地。
ＶＣＣ：接＋５Ｖ電源。
ＯＲＧ：存貯器構造配置端。該端接ＶＣＣ或懸空時，輸出為１６位；接ＧＮＤ時，輸出為８位。
ＮＣ：空腳，不連接。 表1 AT93C46/56/66系統指令
地址位
數據位
指 令
起始位
操作碼
*8 *16
空
備 注
READ
1
10
AnAo AnAo
空
從指定的單元讀數
EWEN
1
00
11xxxxx 11xxxx
空
允許寫指令
ERASE
1
11
An～Ao An-1～Ao
空
擦除指定單元
WRITE
1
01
An～Ao An-1～Ao
D7～D0 D15～D0
寫入存儲單元
ERAL
1
00
10xxxxx 10xxxx
空
擦除存儲器所有單元
WRAL
1
00
01xxxx 01xxxx
D7～D0 D15～D0
寫入存儲器所有單元
EWDS
1
00
00xxxxx 00xxxx
空
禁止寫指令
表中，93C46 n=6;93C56n=7; 93C66n=8
２ 指令及時序
ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６的指令如表１所列，各指令的具體含義如下：
（１）擦／寫允許指令（ＥＷＥＮ）
由于在上電復位后　ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６首先將處于擦／寫不允許狀態。故該指令必須在所有編程模式前執行，一旦該指令執行后，只要外部沒有斷電就可以對芯片進行編程。
（２）地址擦指令（ＥＲＡＳＥ）
該指令用于強迫指定地址中所有數據位都為“１”。一旦信息在ＤＩ端上被譯碼，就需使ＣＳ信號保持至少２５０ｎｓ的低電平，然后將ＣＳ置為高電平，這時，ＤＯ端就會指示“忙”標志。ＤＯ為“０”，表示編程正在進行；ＤＯ為“１”，表示該指定地址的寄存器單元已擦完，可以執行下一條指令。
（３）地址寫指令（ＷＲＩＴＥ）
寫指令時，先寫地址，然后將１６位的　或８位　數據寫入到指定地址中。當ＤＩ端輸出最后一個數據位后，在ＣＬＫ時鐘的下一個上升沿以前，ＣＳ必須為低，且需至少保持２５０ｎｓ，然后將ＣＳ置為高電平。需要說明的是：寫周期時，每寫一個字節需耗時４ｍｓ。
（４）地址讀指令（ＲＥＡＤ）
讀指令用于從指定的單元中把數據從高位到低位輸出至ＤＯ端，但邏輯“０”位先于數據位輸出。讀指令在ＣＬＫ的上升沿觸發，且需經過一段時間方可穩定。為防止出錯，建議在讀指令結束后，再輸出２～３個ＣＬＫ脈沖。
（５）芯片擦指令（ＥＲＡＬ）
該指令可將整個存貯器陣列置為１，其它功能與地址擦指令相同。
（６）芯片寫指令　ＷＲＡＬ　
該指令可將命令中指定的數據寫入整個存貯器陣列，其它功能與地址寫指令相同。該指令周期所花費時間的最大值為３０ｍｓ。
（７）擦／寫禁止指令（ＥＷＤＳ）
使用該指令可對寫入的數據進行保護，操作步驟與擦／寫允許指令相同。 ３ ＡＴ９３Ｃ５６的應用
３．１ ＡＴ９３Ｃ５６與８０Ｃ１９６ＫＢ的連接
串行ＥＥＰＲＯＭ芯片ＡＴ９３Ｃ５６同８０Ｃ１９６單片機接口的硬件電路連接方法如圖２所示。圖中，由于ＭＣＳ－９６系列１６位單片機的Ｐ１口為準雙向口，因此，為了防止數據錯位，在向其Ｐ１口寫數據時，必須先將Ｐ１口置“１”。