資料介紹
這些N通道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用Fairchild的專有平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。
這種先進(jìn)的技術(shù)已經(jīng)特別定制,以盡量減少通態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率的開(kāi)關(guān)電源和有源功率因數(shù)校正。
特征
45A,500V,rds(開(kāi))=0.12Ω@vgs=10 V
低柵極電荷(典型105 NC)
低CRS(典型62 pf)
快速切換
100%雪崩試驗(yàn)
提高了dv/dt能力
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