資料介紹
圖1說(shuō)明了改進(jìn)單二極管保護(hù)。P溝道MOSFET(Q1)保護(hù)驅(qū)動(dòng)器(U1)從電池反向插入。Q1的低Ω10m或更小的電阻產(chǎn)生了只有幾毫伏的電壓降(與一個(gè)二極管數(shù)百毫伏)。因此,取代MOSFET的二極管提供了一個(gè)立即提高效率
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