資料介紹
增強(qiáng)型:VGS=0時(shí),漏源之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下無(wú)iD;耗盡型:VGS=0時(shí),漏源之間有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下iD。
1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)(以N溝道增強(qiáng)型為例)
在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
其他MOS管符號(hào)
1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)(以N溝道增強(qiáng)型為例)
在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
其他MOS管符號(hào)
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