隨著空間技術、航天戰略武器及微電子技術的快速發展，越來越多的電子元器件被航天產品所采用。其中半導體器件（包括：半導體分立器件、集成電路等）大多數是輻射敏感器件，輻射環境對這些器件的性能會產生不同程度的影響，甚至使其失效。針對各種輻射效應，在器件的材料、電路設計、結構設計、工藝制造及封裝等各個環節采取加固措施，使其具有一定的抗輻射性能。選擇抗輻射加固的器件應用在空間輻射環境中，將能提高航天器的可靠性和使用壽命；應用在戰略武器中，將能提高其效能和突防能力?？臻g輻射環境對電子器件主要產生電離輻射總劑量（TID）效應和單粒子效應（SEE）；核輻射環境尤其是核爆炸環境，主要產生瞬時電離輻射總劑量效應、中子輻射效應和電磁脈沖損傷效應。不同的輻射環境對電子器件的影響各不相同，不同類型的電子器件在同一輻射環境中也會有不同的反應。

　　空間輻射環境主要來自宇宙射線、太陽耀斑輻射及環繞地球的內外范·艾倫輻射帶等。雖然輻射劑量率很低，不同軌道的劑量率范圍一般在0.0001～0.01rad（Si）/s之間，但由于它是一個累積效應，當劑量率累計到一定值時，將導致電子器件的性能發生變化，嚴重時將導致器件完全失效，使電子設備不能正常工作。目前運行的衛星在其有效壽命里，內部將會受到的總劑量為 102～104Gy（Si）的輻射。單粒子效應（SEE）是空間電子系統必須面對和需要解決的另一個空間輻射問題。自1975年發現單個高能粒子能引起CMOS器件發生鎖定（SEL）以來，不斷發現由單粒子引起的器件失效情況，包括功率MOS器件發生燒毀（SEB）、單粒子柵穿（SEGR）、單粒子翻轉（SEU）等現象。隨著器件集成度的提高，以及工作電壓的降低，器件對單粒子效應的敏感度也大幅度提高，成為影響航天器在軌運行的重要因素。核輻射環境主要由α、β、中子、γ射線及核電磁脈沖組成。高空核爆炸產生的瞬時輻射環境的時間很短（一般為10～15s）。瞬態劑量率輻射效應、中子輻射位移損傷效應以及瞬態輻射的次級效應，對于戰略武器和航天器的電子系統，都是必須重視的瞬時損傷因素。因此運行在輻射環境的航天型號在選擇電子器件時，必須根據器件承受的輻射環境，選擇具有足夠抗輻射能力的器件，并留有一定的余量，以保證所選器件在輻射環境中穩定可靠地運行。