射頻，通常指包括高頻、甚高頻和超高頻，其頻率在3 MHz-10 000 MHz ，是無線通信領域最為活躍的頻段。在最近十幾年里，無線通信技術得到了飛躍式的發展，射頻器件快速的代替了使用分立半導體器件的混合電路，這些技術都是對設計者的挑戰。 RFIC（射頻集成電路）是90年代中期以來隨著IC工藝改進而出現的一種新型器件。RFIC的技術基礎主要包括：1）工作頻率更高、尺寸更小的新器件研究；2）專用高頻、高速電路設計技術；3）專用測試技術；4）高頻封裝技術。本文將從IC技術的角度對該領域近期出現的一些新動向進行簡要的綜述和分析。 CMOS出現之初速度較慢，RF電路多采用雙極型器件。然而隨著半導體工藝以摩爾定律飛速進步，MOS管的溝道長度大大縮小，其工作速度大為提高，功耗也大大下降，成為RFIC的一種經濟性很好的平臺。例如，Intel今年發布了CMOS Wi-Fi RFIC。 目前隨著各芯片制造跨入90nm時代，CMOS電路已經可以工作在40GHz以上，甚至達到100GHz。這一進步可以實現數據率在100Mbit/s到1Gbit/s的無線通信芯片，服務于寬帶無線通信系統和高數據率交換裝置，如無線高速USB2.0接口。目前，Tiebout等人已報道了集成有LNA和混頻器、PLL的RFIC樣品，針對17.1GHz到17.3GHz的ISM頻段應用；Tiebout還報道了注入閉鎖分頻器樣品，其工作頻率已經高達40GHz。CMOS技術的進步為低成本RFIC向高頻段發展提供了可能，可以大大降低微波波段的RF裝置的成本，因此該技術對傳統上微波頻段占據統治地位的GaAs技術構成了挑戰。化合物半導體方面，GaAs是目前的技術主流，但進入21世紀以來，Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體，如GaN、AIN、InN等，受到了人們的關注。這些材料的電子飽和速度很高，工作頻率可以到亞毫米波和準光波、光波頻段，可望用于需要大功率、高速、高溫工作的應用。另外，SiC也是一種耐高溫和可承受大功率的半導體材料。目前，這些化會物半導體材料在單晶襯底制備、加工工藝等方面存在一定的困難，一般以單個器件為主，相應的IC在成本上與硅基CMOS工藝相比沒有優勢。預計在今年和明年初，相應的加工技術將獲得大的突破，屆時將進入大規模產業化階段。SiGe材料是近年來廣受重視的材料，它的出現使得人們可以將在化合物半導體異質結器件中廣泛運用的能帶工程理論運用于硅基器件。在硅雙極晶體管和MOS工藝基礎上通過將常規Si基區用GeSi合金應變層替代等辦法可以制成SiGe HBT（異質結晶體管）和應變溝道PMOSFET等，其工藝成本低，且與現有工藝兼容性好。SiGeHBT主要得益于SiGe/Si異質結價帶邊的失配，器件的電流增益與SiGe/Si價帶邊差呈現指數關系，這樣基區可以有很高的摻雜濃度，器件的噪聲系數相應得以降低。此外，也由于帶邊效應，電流增益具有負溫度系數，對電流增益有自抑制作用，器件工作相對穩定，具有優良的熱性能和功率性能。目前，SiGe HBT的fT超過200GHz，2GHz下噪聲系數小于0.5dB，不但可用于移動通信，并完全可滿足局域網和光纖通信的要求。SiGe技術已經實現了幾乎所有的無線通信單一功能電路，其最佳的應用領域是無線通信手機（特別是3G手機）的射頻前端芯片及功率放大器模塊，其它應用領域包括無線接入、衛星通信、GPS定位導航、有線通信（千兆以太網、SONET/SDH等）、汽車雷達、智能電子收費系統乃至軍事通信。SiGe的崛起將大大改變傳統的Si、GaAs的市場分劃。預計2005年SiGe RFIC將達19億美元。另外，利用InP材料也可以制成HBT。IBM公司是SiGe技術的主要開拓者，它為Alcatel、Intersil、Nortel等許多公司提供SiGe芯片制造服務，還與 Siemens、RF MicroDevices等公司聯合開發SiGe芯片。其主流工藝技術是在8英寸晶圓片上工業化的SiGeBiCMOS 5HP工藝。其它擁有SiGe HBT技術的公司有Freescale、Maxim、Lucent、ST、Infineon、Philips等。