研究了光電導天線產生太赫茲波的輻射特性，利用麥克斯韋方程及其邊界條件，計算了近遠場的電場強度；采用電磁波時域有限差分方法（FDTD），在Matlab系統軟件中，用C語言編寫程序計算光電導偶極天線的輻射太赫茲波的空間電磁場分布，并在計算機上以偽彩色圖形顯示，這種電磁場的可視化結果為天線的設計和改進提供了直觀的物理依據。太赫茲波是指波長范圍為3μm～3mm（011～10THz）之間的電磁輻射，其波段位于微波和紅外光之間。隨著超快激光技術和低尺度半導體技術的發展，使THz電磁波的產生技術，THz輻射機理的研究，THz檢測技術和應用技術得到迅速的發展。目前，產生脈沖THz輻射的方法主要有兩種：光電導天線產生THz電磁波和光整流產生THz。前者是利用飛秒激光脈沖觸發直流偏置下的光電導體，通過相干電流驅動偶極天線產生太赫茲輻射；光整流是一種非線性效應，是用飛秒激光脈沖和非線性介質 （LiNbO3，LiTaO3，ZnTe等）相互作用產生低頻極化場也可以輻射出THz電磁波。近年來，國內外有不少關于光電導天線產生 THz電磁波的文獻報道。Darrow等對光電導天線產生太赫茲波的理論進行了詳細的解釋，并且對砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP） 作為光電導天線的基質材料產生太赫茲輻射進行了對比。Hattori等研究了大孔徑光電導天線產生太赫茲波的時間特性，考慮了半導體載流子壽命和弛豫時間對太赫茲輻射的影響。大孔徑光電導天線在強激光脈沖的照射下會產生飽和現象，Darrow等等分別進行了理論模擬，得出了半導體表面的輻射電場對偏置電場的屏蔽效應是產生飽和現象的主要原因。施衛等對半絕緣砷化鎵（GaAs）天線產生太赫茲波的輻射特性進行了相關研究。在國內外研究的基礎上，對光電導天線產生太赫茲波的微觀機制進行理論分析和計算，用麥克斯韋方程及其邊界條件計算了光電導體的表面電流和近遠場的輻射電場，通過計算可以看出近場條件下太赫茲波的輻射強度正比于表面電流，遠場條件下太赫茲波的輻射強度正比于觸發光脈沖的寬度、功率和偏置電場的強度。對于理論分析的結果，采用時域有限差分方法 （FDTD）計算了光電導天線的輻射特性。