對 5G 時代的電源設計工程師來說，新拓撲結構和新材料是必須要熟悉的，因為碳化硅、氮化鎵等新材料器件出來的時間并不長，每個廠商推出的器件特性都是不一樣的，不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此，程文濤建議電源設計工程師，盡早熟悉新材料器件、高頻化設計，開拓設計思路，以適應未來的電源設計工作。對于宏基站，在一次電源和二次電源的優化方面，英飛凌的程文濤給出了一些建議?！霸谝淮坞娫捶矫妫覀兛吹揭粋€很明顯的趨勢是要求高效率和高功率密度?，F在電源的效率要達到 97%，甚至 98%的工作效率?！?要達到這個效率目標，程文濤認為一是需要用到新的拓撲結構，他舉例說，ACDC 的拓撲結構將會從有橋 PFC，逐漸過渡到無橋 PFC，甚至圖騰柱拓撲結構;二是必須采用新的材料，包括現在熱門的碳化硅 MOSFET 和氮化鎵 MOSFET;三是高頻化，高頻化可以提高功率密度，減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎，SMD 封裝成為了主流。

　　對 5G 時代的電源設計工程師來說，新拓撲結構和新材料是必須要熟悉的，因為碳化硅、氮化鎵等新材料器件出來的時間并不長，每個廠商推出的器件特性都是不一樣的，不像硅器件特性大家都比較熟悉。因此，程文濤建議電源設計工程師，盡早熟悉新材料器件、高頻化設計，開拓設計思路，以適應未來的電源設計工作。對于宏基站，在一次電源和二次電源的優化方面，英飛凌的程文濤給出了一些建議?！霸谝淮坞娫捶矫?，我們看到一個很明顯的趨勢是要求高效率和高功率密度?，F在電源的效率要達到 97%，甚至 98%的工作效率?！?要達到這個效率目標，程文濤認為一是需要用到新的拓撲結構，他舉例說，ACDC 的拓撲結構將會從有橋 PFC，逐漸過渡到無橋 PFC，甚至圖騰柱拓撲結構;二是必須采用新的材料，包括現在熱門的碳化硅 MOSFET 和氮化鎵 MOSFET;三是高頻化，高頻化可以提高功率密度，減小尺寸;四是貼片封裝更受歡迎，SMD 封裝成為了主流。對于二次電源部分，新的拓撲結構并不多，更主要的是使用新材料和高頻化器件。