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- CGD15HB62P1，參考設(shè)計(jì)是用于1200V SiC MOSFET電源模塊的兩通道柵極驅(qū)動(dòng)器。兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道中的每個(gè)通道均由去飽和電路保護(hù)。發(fā)生短路時(shí)，MOSFET（VDS）兩端的電壓會(huì)升高，直到達(dá)到閾值為止，這會(huì)導(dǎo)致去飽和電路將兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道都驅(qū)動(dòng)到截止?fàn)顟B(tài)
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