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中、高功率的電源電路經常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開通和關斷的狀態，不但影響系統和效率，而且影響系統的EMI，和EMI相關的一個最重要的參數就是MOSFET開通和關斷dV/dt。
MOSFET開通和關斷dV/dt主要受驅動電路、PCB布局、外部的柵極電阻以及MOSFET本身的參數如內部柵極電阻和寄生電容、引線電感等因素的影響。
當上面的這些條件都確定時，設計過PFC的工程師會發現下面的一個問題：當輸入電壓改變的時候，開通的過程中，不同的輸入電壓對于dV/dt、di/dt的影響不大；關斷過程中，不同的輸入電壓，dV/dt、di/dt并不相同，輸入的交流電壓越低，dV/dt、di/dt越高，這是什么原因？
當輸入電壓低的時候，相對的輸入電流大，那么，每個同期流過MOSFET的峰值電流也會變大，因此關斷過程中，ID的電流大；由于ID的電流大，基于跨導特性對應的VGS、也就是米勒平臺的電壓也會增大，根據關斷時驅動電路的特性：
C ? dV/dt = VGP/RG
VGP越大，dV/dt越大，關斷得越快，di/dt也越大。
使用AOS Alpha MOS5高壓功率MOSFET測量的波形，如下圖所示。
圖1：不同的電壓下關斷波形圖2：不同的電壓下開通波形
dV/dt、di/dt不僅和EMI相關，還和MOSFET和系統的可靠性相關，關斷的過程中dV/dt過大，會導致MOSFET誤觸發導通，也會導致內部的寄生三極管的導通，因此在系統設計中，要在各種不同的極端的條件下校核最惡劣的dV/dt、di/dt。
(mbbeetchina)
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