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電阻寄存器設(shè)置電阻寄存器設(shè)置要將其中一個 DS3904 置于高阻抗模式,所選電阻寄存器的 MSB 必須寫入“1”。例如,將 80h 寫入其中一個可變電阻寄存器可啟用該電阻的高阻抗模式。當與上拉電阻結(jié)合使用時,該值可用于生成高電平。要獲得可變電阻器可用的最小電阻(通常為 400Ω),電阻器寄存器必須設(shè)置為 00h(位置 0)。這將產(chǎn)生一個低電平。要將其中一個 DS3904 置于高阻抗模式,所選電阻寄存器的 MSB 必須寫入“1”。例如,將 80h 寫入其中一個可變電阻寄存器可啟用該電阻的高阻抗模式。當與上拉電阻結(jié)合使用時,該值可用于生成高電平。要獲得可變電阻器可用的最小電阻(通常為 400Ω),電阻器寄存器必須設(shè)置為 00h(位置 0)。這將產(chǎn)生一個低電平。硬件要求硬件要求當使用機械 DIP 開關(guān)控制數(shù)字輸入時,上拉電阻用于創(chuàng)建高電平狀態(tài)(當使用機械 DIP 開關(guān)控制數(shù)字輸入時,上拉電阻用于創(chuàng)建高電平狀態(tài)(見圖 1見圖 1)。關(guān)閉 DIP 開關(guān)會產(chǎn)生低電平。)。關(guān)閉 DIP 開關(guān)會產(chǎn)生低電平。圖 1. 機械 DIP 開關(guān)。圖 1. 機械 DIP 開關(guān)。DS3904 可利用高阻抗模式取代機械 DIP 開關(guān)。通過將每個 H 端子引腳的上拉電阻器連接到電壓電位,當相應(yīng)的可變電阻器處于高阻抗模式時,將創(chuàng)建高電平狀態(tài)。向電阻寄存器寫入 00h 可創(chuàng)建低電平狀態(tài)。H 引腳上的電壓限制為 5.5V,電流限制為 3mA。為了滿足數(shù)字輸入的這些限制和電壓電平要求,使用了一個 10kΩ 的上拉電阻(參見DS3904 可利用高阻抗模式取代機械 DIP 開關(guān)。通過將每個 H 端子引腳的上拉電阻器連接到電壓電位,當相應(yīng)的可變電阻器處于高阻抗模式時,將創(chuàng)建高電平狀態(tài)。向電阻寄存器寫入 00h 可創(chuàng)建低電平狀態(tài)。H 引腳上的電壓限制為 5.5V,電流限制為 3mA。為了滿足數(shù)字輸入的這些限制和電壓電平要求,使用了一個 10kΩ 的上拉電阻(參見圖 2圖 2). 假設(shè)電壓為 5.0V,位置 0 的可變電阻值為 400Ω,上拉電阻值為 10kΩ,低電平狀態(tài)將產(chǎn)生大約 0.19V 的電壓。
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