LFPAK56D中的N溝道 60V,12.5mOhm、邏輯電平 MOSFET,使用針對(duì)重復(fù)雪崩增強(qiáng)的 TrenchMOS 技術(shù)-PSMN012-60HL
2023-02-08 |
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LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET,使用針對(duì)重復(fù)雪崩增強(qiáng)的 TrenchMOS 技術(shù)-PSMN012-60HL
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