近年來(lái)，寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，具有很多優(yōu)異的特性，如禁帶寬 度寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂移速度高，所以GaN材料可以很好地滿足高溫、高頻和高功率等工作要求。同時(shí) 由于目前的電子整機(jī)系統(tǒng)要求功率放大器具有較寬的帶寬、較大的功率和較高的效率，而GaAs器件受自身功率密度的限制， 在兼顧體積時(shí)不能保證較大功率的輸出，并且用GaAs器件制作的功率放大器效率較低。相比之下GaN器件在這方面的優(yōu)點(diǎn)就 變得非常突出，GaN器件制成的功率放大器效率高于GaAs，且GaN可以高電壓工作的特點(diǎn)將會(huì)使其成為未來(lái)工程應(yīng)用的首選 ［1］。 與以多個(gè)晶體管并聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)的功率放大器相比，單胞的功率放大器具有更高的能效，同時(shí)這樣也可使得功率器件的輸入、輸出 端口的阻抗與多胞器件相比更大，因此在設(shè)計(jì)和使用時(shí)，由輸入、輸出引線微小的變化、管殼以及其他寄生參數(shù)等帶來(lái)的對(duì)電 路性能的影響就比較小，甚至可以忽略不計(jì)，這樣實(shí)際電路的性能與仿真的性能更為接近，可以保證電路的性能。同時(shí)本文采 用了內(nèi)匹配的方式，即在管殼內(nèi)部引入匹配電路，通過(guò)較高進(jìn)度的薄膜電路對(duì)功率芯片進(jìn)行匹配，可進(jìn)一步減小外界寄生參數(shù) 對(duì)電路性能的影響，更加有利于電路的設(shè)計(jì)。