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第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場景十分廣泛， 從尖端的CPU、GPU、存儲芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些領(lǐng)域的性能方面表現(xiàn)不佳，但還有性價(jià) 比助其占據(jù)市場。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為代表，主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)?a target='_blank' class='arckwlink_none'>光電子、微電 子、微波功率器件等。第三代半導(dǎo)體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)?功率器件、光電子、射頻。
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