摘要

　　基于0.15μm GaAs PHEMT的光學光刻工藝和2mil襯底技術，使描述了高生產吞吐量和低成本。所開發的工藝實現了Imax=575mA/mm，BVgd=14V和753mW/mm的輸出功率密度P-1條件下18GHz。直流至的設計和測試結果85GHz行波放大器（TWA）和29-30.5GHz4.9W功率放大器（PA）也被描述為過程能力驗證。TWA顯示8dB的小信號增益輸出功率12dBm，頻率可達85GHz。帕顯示20dB的小信號增益和36.9dBm的輸出在29之間的3dB增益壓縮條件下的功率和30.5GHz頻率。這些結果驗證了該過程制造應用MMIC器件的能力高達90GHz。

　　介紹

　　低成本、高性能毫米波MMIC至關重要毫米波無線電鏈路的發展，汽車雷達和測試設備，作為這些設備的市場應用程序成熟。對于柵極長度為0.15μm或更短的毫米波MMIC器件生產，行業標準技術是直接寫入電子束光刻［1-4］。然而，直接電子束工藝由于晶片處理時間慢。為了解決這個問題，Avago開發了一種基于248nm深紫外光學步進器，高吞吐量6“0.15μm pHEMT工藝。除了大門加工，該工藝類似于Avago的6“，0.5μm門pHEMT工藝，每年運送6000片晶圓主要用于手機和無線局域網應用。目標是降低毫米波MMIC晶片的成本新興的消費毫米波應用。在本文中，Avago新開發的0.15μm低成本將描述6“GaAs MMIC的生產工藝。到評估毫米波應用的工藝能力，一個直流至85GHz的行波放大器（TWA）和一個28-30.5GHz設計、制造了4.9W功率放大器（PA）測試。TWA顯示8dB的最小增益和14dBm輸出功率敢達85GHz頻率范圍。4.9瓦/年顯示20dB的小信號增益和36.9dBm的輸出在29GHz和30.5GHz頻率之間的功率。

　　Mmic過程概述

　　Avago的0.15μm耗盡模式pHEMT工藝利用雙Δ摻雜的AlGaAs/InGaAs/AlGaAs異質結外延層，優化為達到約575mA/mm最大通道電流和漏極至柵極擊穿電壓大于14伏。正在處理從氮化物沉積開始，接著是TaN沉積，掩模和干法蝕刻以產生50歐姆/平方英寸的精密電阻器。然后進行隔離掩模和氧氣注入隔離FET和EPI電阻器。形成歐姆接觸通過Au-Ge-Ni-Au的蒸發和剝離。源極到漏極間距為2.4μm。用I形線形成寬的柵極凹陷氮化物層和N的光學光刻和干法蝕刻+覆蓋層。接下來是分兩步完成的柵極光刻步驟。首先，使用具有248nM深UV相移掩模技術的負光致抗蝕劑來定義柵極干。接下來，使用負光致抗蝕劑來定義柵極T形頂部以及I-Line光刻。Pt-Ti-Pt-Au柵極蒸發和然后進行剝離，然后進行氮化硅鈍化。使用蒸發和剝離技術形成1μm厚的Ti/Pt/Au金屬層，然后形成1550埃氮化硅電容器電介質、4μm厚的電鍍空氣橋層和SiN外涂層。MMIC過程配備了無源部件，包括190和390Ω/平方。EPI電阻器，50Ω/sq。TaN電阻器，0.39fF/μm2 SiN MIM電容器，27pH背面過孔和兩個用于電感器和傳輸線的金屬層。厚度為4μm的氣橋金屬提供低電阻以及在高電流下良好的電遷移裕度。