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預(yù)計(jì)5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的部署將使市場(chǎng)中的消費(fèi)者和服務(wù)提供商受益，從蜂窩寬帶和5G通信模塊到支持工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIOT)。5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員面臨的主要挑戰(zhàn)之一是將高頻段5G設(shè)計(jì)的數(shù)字密集毫米波(MMW)部分與波束形成空中接口部分集成在一起(見(jiàn)圖1)。MW信號(hào)鏈元件往往更加數(shù)字化，因此采用CMOS工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，工作電壓較低，CMOS工藝節(jié)點(diǎn)通常為1.8 V或更低。相反，波束形成信號(hào)鏈元件需要更高的性能和更大的功率，通常采用更先進(jìn)的工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，如硅鍺(SiGe)、砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)。采用這些工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的器件工作在更高的電壓水平，如5 V，當(dāng)設(shè)計(jì)人員努力將毫米波和波束形成信號(hào)鏈結(jié)合在一起時(shí)，他們面臨著在不同電壓域工作的互連信號(hào)的挑戰(zhàn)。
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