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碳化硅(SiC) MOSFET和硅IGBT開關(guān)功率器件主要用于高功率應(yīng)用，因?yàn)樗鼈兙哂休^高的額定阻斷電壓(> 650 V)和電流處理能力。當(dāng)功率器件被有效驅(qū)動(dòng)時(shí)，開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗都被最小化。欠壓鎖定輸出(UVLO)在柵極驅(qū)動(dòng)器中實(shí)現(xiàn)，以監(jiān)控柵極電壓，防止其降至低于特定閾值。UVLO額定值是使用SiC MOSFETs或IGBTsversus Si MOSFETs的電動(dòng)汽車牽引逆變器、太陽能逆變器和車載充電器等高功率應(yīng)用的重要考慮因素。這些器件具有不同的電壓驅(qū)動(dòng)要求，因此UVLO閾值也必須不同。本應(yīng)用筆記討論為什么UVLO對于安全高效的電源開關(guān)操作至關(guān)重要。它還說明了為什么Si MOSFETs與sic MOSFET和IGBTs需要不同的also電平，以及柵極驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)如何影響這一設(shè)置。
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