1.電力電子器件一般工作在________狀態。
　　2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為________，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為________。
　　3.電力電子器件組成的系統，一般由________、________、 ________三部分組成，由于電路中存在電壓和電流的過沖，往往需添加________。
　　4.按內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況，電力電子器件可分為________ 、 ________ 、________三類。
　　5.電力二極管的工作特性可概括為________。
　　6.電力二極管的主要類型有________、________、 ________。
　　7.肖特基二極管的開關損耗________快恢復二極管的開關損耗。
　　8.晶閘管的基本工作特性可概括為 ____ 正向有觸發則導通、反向截止 ____ 。
　　9.對同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數值大小上有IL________IH 。
　　10.晶閘管斷態不重復電壓UDRM與轉折電壓Ubo數值大小上應為，UDRM________Ubo。
　　11.逆導晶閘管是將________與晶閘管________（如何連接）在同一管芯上的功率集成器件。
　　12.GTO的________結構是為了便于實現門極控制關斷而設計的。
　　13.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現象稱為________ 。
　　14.MOSFET的漏極伏安特性中的三個區域與GTR共發射極接法時的輸出特性中的三個區域有對應關系，其中前者的截止區對應后者的________、前者的飽和區對應后者的________、前者的非飽和區對應后者的________。
　　15.電力MOSFET的通態電阻具有________溫度系數。
　　16.IGBT 的開啟電壓UGE（th）隨溫度升高而________，開關速度________電力MOSFET 。
　　17.功率集成電路PIC分為二大類，一類是高壓集成電路，另一類是________。
　　18.按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質，可將電力電子器件分為________和________兩類。
　　19.為了利于功率晶體管的關斷，驅動電流后沿應是________。
　　20.GTR的驅動電路中抗飽和電路的主要作用是________。
　　21.抑制過電壓的方法之一是用________吸收可能產生過電壓的能量，并用電阻將其消耗。在過電流保護中，快速熔斷器的全保護適用于________功率裝置的保護 。
　　22.功率晶體管緩沖保護電路中的二極管要求采用________型二極管，以便與功率晶體管的開關時間相配合。
　　23.晶閘管串聯時，給每只管子并聯相同阻值的電阻R是________措施，給每只管子并聯RC支路是________措施，當需同時串聯和并聯晶閘管時，應采用________的方法。
　　24.IGBT的通態壓降在1/2或1/3額定電流以下區段具有________溫度系數， 在1/2或1/3額定電流以上區段具有________溫度系數。
　　25.在如下器件：電力二極管（Power Diode）、晶閘管（SCR）、門極可關斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場效應管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）中，屬于不可控器件的是________，屬于半控型器件的是________，屬于全控型器件的是________；屬于單極型電力電子器件的有________，屬于雙極型器件的有________，屬于復合型電力電子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作頻率最高的是________，屬于電壓驅動的是________，屬于電流驅動的是________。
簡答題：
　　26.電力電子器件是如何定義和分類的？同處理信息的電子器件相比，它的特點是什么？