“硅是上帝送給人類的禮物，整個芯片業幾乎都拿到了這份禮物，無線通信領域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜日前在接 受媒體采訪時如是說。他認為傳統采用GaAs（砷化鎵）或SiGe（硅鍺）BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代“該結束”了，純CMOS工藝RF前端 IC將在未來十年內主宰移動互聯網和物聯網時代。
　　業界對CMOS PA產品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通（Qualcomm）并購CMOS PA供應商Black Sand，借以強化其RF360方案競爭力；而在2013年，Avago、RFMD還分別完成了對Javelin和Amalfi的收購，再之前的就是 2009年Skyworks收購Axiom Microdevices。
　　錢永喜說，現有的RF前端模組（FEM）方案通常是把功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）和天線開關等多個分立電路拼接在一個介電基板或封裝引線框架上，再采用GaAs/SiGe BiCMOS工藝將其結合在一個模塊內。“但CMOS RFeIC產品采用了于眾不同的做法”，它是將多項功能集成在一個純CMOS單芯片、單硅片（Single-chip，Single-die）的架構之 中，包括PA、LNA、收發開發電路、相關匹配網絡、諧波濾波器等。
　　這種做法最直接的優勢在于減少了外部電路的元器件數量，簡化了廠商 的開發設計，縮短了產品上市的時間，進而也降低了成本。根據RFaxis提供的對比數據，在6英寸GaAs晶圓上制造2μm GaAs HBT的成本遠大于1000美元，而RFaxis在8英寸純硅晶圓采用0.18μm Bulk CMOS工藝，在面積增大78%的前提下，成本卻遠小于1000美元，且能夠充分保證產品良率和交付周期。
　　“運用于軍事或是工業領域的 PA產品采用GaN/GaAs制造還是有可能的，但消費類電子產品一定要基于‘標準’工藝才有市場。”錢永喜認為那種依靠稀有元素，采用特殊制造工藝，從 而導致產品價格居高不下、成品良率受限的做法是不合時宜的。就像現在由于GaN產能緊張導致4G PA缺貨一樣，若使用CMOS就不會出現這個問題。
　　
　　RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜
　　他坦承以前在消費領域采用CMOS工藝的技術難度非常大。“擊穿電壓比較低、功耗高、線性度差、轉換效率不高，這些都是傳統CMOS工藝器件的弊端。但，RFaxis解決了這些問題。”
　　產能是他看好CMOS PA的另一個優勢。2013年，全球晶圓代工廠的總營收為430億美金，而GaAs的代工總額僅為10億，GaAs PA器件的銷售總額也已停滯不前。考慮到只有追隨主流工藝才有成本下降空間，因此，RF工藝從GaAs/SiGe轉向CMOS是不可逆的，這將解決歷史性 的供應鏈瓶頸難題。
　　目前，RFaxis采用的是0.18μm CMOS工藝，今年第四季度可提供40nm 802.11ac射頻前端樣品，主要集中在Wi-Fi、Zigbee和ISM，但未來很有可能進入LTE/CDMA射頻前端。而根據研究機構 Strategy Analytics的分析報告，CMOS RF前端在2012年、2013年的市場容量為0，2014年預計將達到200萬美金，而在2018年該市場市值有望達到1.8億美金，四年時間幾乎實現 100倍的增長。
　　而正經歷爆炸性增長的物聯網則是RFaxis重點關注的下一輪重大機遇。思科公司預測說2020年整個物聯網市場會到 500億顆芯片，華為給出的預測數據則是到2025年，整個物聯網的市場規模可以達到1千億個連接點。有業內專家估算，物聯網傳感器節點的單價應該低于1 美元才有可能獲得大規模普及，這意味著傳統GaAs或SiGe幾乎難有任何利潤空間，而RFaxis的純CMOS裸片（Bare Die）解決方案則在封裝規格、性能與成本等各方面都具備誘人的前景。
　　錢永喜介紹說，目前，越來越多設備制造商要求每個產品要有三個或三個以上的RF前端，以實現3×3或4×4 MIMO系統。為此，高通創銳訊在其QCA9880 3×3 MIMO 802.11ac無線解決方案中采用了RFaxis開發的5GHz射頻前端集成電路（RFX8051），為路由器、運營商網關、機頂盒和企業接入點等應用提供了支持千兆位功能的Wi-Fi技術。
　　除此之外，RFaxis也正積極地與不同廠商展開合作，共同推動CMOS射頻前端在IOT市場的發展。典型產品包括德國Astera公司LED照明無線 控制方案、摩托羅拉/VTech公司無線嬰兒看護系統、Vizio公司40英寸家庭影院多聲道音箱、Atmel長距離ZigBee無線通信模塊、以及飛利 浦通過蘋果手機遠距監控居家的In.Sight等。
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