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隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展，功耗已經(jīng)成為現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中的一個主要設(shè)
計(jì)約束.本文在設(shè)計(jì)多點(diǎn)控制協(xié)議MPCP模塊中，采用插入門控時鐘這一技術(shù)以降低芯片功耗.針對插入門控寄存器造成測試很難控制這個問題，采取在鎖存器的前后加入控制點(diǎn)的方法，解決了由于插入門控時鐘而對可測性造成的影響.最后，使用SMIC的0.25um CMOS工藝，并用Synopsys的power complier進(jìn)行功耗優(yōu)化，達(dá)到了很好的效果.
集成電路是20世紀(jì)發(fā)展起來的新興高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一。自從1958年Texas Instrument的Jack Kilby生產(chǎn)出第一塊集成電路起，集成電路產(chǎn)業(yè)一直保持著驚人的發(fā)展速度。正如Intel的創(chuàng)始人之一GordonMoore博士所預(yù)言的，每14～18個月，芯片上可集成的晶體管數(shù)目將增長一倍，以微處理器芯片為例，集成電路的規(guī)模已經(jīng)從1971年Intel 4004的2300個晶體管發(fā)展到現(xiàn)在的130nm制程Banias核心的7700萬個晶體管24.5W的最大散熱功率（TDP，Thermal Design Power）和90nm制程Dothan核心的1.4億個晶體管21W的最大散熱功率[1]。
計(jì)約束.本文在設(shè)計(jì)多點(diǎn)控制協(xié)議MPCP模塊中，采用插入門控時鐘這一技術(shù)以降低芯片功耗.針對插入門控寄存器造成測試很難控制這個問題，采取在鎖存器的前后加入控制點(diǎn)的方法，解決了由于插入門控時鐘而對可測性造成的影響.最后，使用SMIC的0.25um CMOS工藝，并用Synopsys的power complier進(jìn)行功耗優(yōu)化，達(dá)到了很好的效果.
集成電路是20世紀(jì)發(fā)展起來的新興高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一。自從1958年Texas Instrument的Jack Kilby生產(chǎn)出第一塊集成電路起，集成電路產(chǎn)業(yè)一直保持著驚人的發(fā)展速度。正如Intel的創(chuàng)始人之一GordonMoore博士所預(yù)言的，每14～18個月，芯片上可集成的晶體管數(shù)目將增長一倍，以微處理器芯片為例，集成電路的規(guī)模已經(jīng)從1971年Intel 4004的2300個晶體管發(fā)展到現(xiàn)在的130nm制程Banias核心的7700萬個晶體管24.5W的最大散熱功率（TDP，Thermal Design Power）和90nm制程Dothan核心的1.4億個晶體管21W的最大散熱功率[1]。
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