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所謂的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技術(shù)本質(zhì)上即是用DRAM 來喬裝SRAM,所以才叫Pseudo(偽),那為何要用喬裝呢?此其實(shí)與近年來手持式應(yīng)用設(shè)計(jì)的興起息息相關(guān)。
關(guān)鍵詞:PSRAM,偽靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存
所謂的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技術(shù)本質(zhì)上即是用DRAM 來喬裝SRAM,所以才叫Pseudo(偽),那為何要用喬裝呢?此其實(shí)與近年來手持式應(yīng)用設(shè)計(jì)的興起息息相關(guān)。過去在一般性的嵌入式設(shè)計(jì)上,其內(nèi)存部分多是使用 SRAM,之后由于計(jì)算機(jī)等電子數(shù)據(jù)設(shè)備的成長(zhǎng),使設(shè)備內(nèi)部所用的內(nèi)存容量大幅增加,這時(shí)就難以使用SRAM 來實(shí)現(xiàn)大容量的內(nèi)存系統(tǒng),而必須使用DRAM,DRAM 每個(gè)位的記憶電路是以1 個(gè)晶體管與1 個(gè)電容所構(gòu)成,相對(duì)于SRAM 每個(gè)位需要4~6 個(gè)晶體管才能構(gòu)成,DRAM 擁有比SRAM 高4~6 倍的記憶密度。
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所謂的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技術(shù)本質(zhì)上即是用DRAM 來喬裝SRAM,所以才叫Pseudo(偽),那為何要用喬裝呢?此其實(shí)與近年來手持式應(yīng)用設(shè)計(jì)的興起息息相關(guān)。過去在一般性的嵌入式設(shè)計(jì)上,其內(nèi)存部分多是使用 SRAM,之后由于計(jì)算機(jī)等電子數(shù)據(jù)設(shè)備的成長(zhǎng),使設(shè)備內(nèi)部所用的內(nèi)存容量大幅增加,這時(shí)就難以使用SRAM 來實(shí)現(xiàn)大容量的內(nèi)存系統(tǒng),而必須使用DRAM,DRAM 每個(gè)位的記憶電路是以1 個(gè)晶體管與1 個(gè)電容所構(gòu)成,相對(duì)于SRAM 每個(gè)位需要4~6 個(gè)晶體管才能構(gòu)成,DRAM 擁有比SRAM 高4~6 倍的記憶密度。
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