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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強度、高彈性模量、高導熱系數和低熱膨脹系數等特點,且且結構件要具有極高的尺寸精度和結構復雜性,...
本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談論7納米工藝之前,我們先了解一下“納米”是什么意思。納米(nm)是一個長度單...
隨著科技的飛速發展,CMOS技術也在不斷進步,以滿足日益增長的性能需求。從最初的簡單邏輯門到現在的復雜集成電路,CMOS技術已經成為推動數字革命的關鍵力...
美投資8.25億美元建設NSTC關鍵設施,重點發展EUV光刻技術
拜登政府已宣布一項重大投資決策,計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元,用于建設國家半導體技術中心(NSTC)的核心設施。據美國商務部透露,奧爾巴尼...
近日,日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)發布了一項重大研究報告,宣布該校成功研發出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術。這一創新技術超越了當前半導體...
近日,比利時微電子研究中心(IMEC)與全球光刻技術領軍企業阿斯麥(ASML)共同宣布,在荷蘭費爾德霍芬正式啟用聯合High-NA EUV光刻實驗室。
宿敵英特爾則積極投身于新興高數值孔徑超紫外光刻領域,已有數臺設備投入其芯片制造部門使用。據透露,英特爾正計劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節點中試...
據彭博社3月15日報道,三星電子有望從美國政府獲得逾60億美元的《CHIP》法案補貼。該公司目前正在美國得克薩斯州新建一座工廠,此前計劃于今年7月開始...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)提及芯片制造,首先想到的自然是光刻機和光刻技術。而眾所周知,EUV光刻機產能有限而且成本高昂,業界一直都在探索不完全依賴于...
2024-03-09 標簽:光刻技術 4176 0
近期的演示會上,美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得...
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