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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

不常見的半導(dǎo)體功率器件有哪些

1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...

2022-07-14 標(biāo)簽:二極管晶閘管功率器件 1312 0

功率MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過...

2022-07-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬 0

什么是功率半導(dǎo)體?IGBT 的下一步是什么?

什么是功率半導(dǎo)體?IGBT 的下一步是什么?

BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開關(guān)頻率相對(duì)較低,因...

2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...

2022-06-02 標(biāo)簽:變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電壓 3312 0

功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè),構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來

功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè),構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來

全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學(xué)家已達(dá)成共識(shí),必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平,將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下,才能擁有一...

2022-04-22 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體能源網(wǎng)絡(luò) 6868 0

如何使用SBR提高電源轉(zhuǎn)換效率

如何使用SBR提高電源轉(zhuǎn)換效率

對(duì)于幾乎任何電子或電氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì),最大限度地提高電源效率非常重要。在移動(dòng)設(shè)備中,更好的電源效率可提供更長的電池壽命,這是一個(gè)關(guān)鍵賣點(diǎn)。對(duì)于基本上任何應(yīng)用...

2022-04-20 標(biāo)簽:SBR功率半導(dǎo)體 3321 0

RC-IGBT 技術(shù)帶來更多動(dòng)力

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多年來,市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求一直在增加,需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過增加給定封裝尺寸的輸出功率來實(shí)現(xiàn)的,這與系...

2022-02-22 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT功率半導(dǎo)體 3876 0

淺談功率半導(dǎo)體的燒結(jié)芯片貼裝技術(shù)

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Micro-Punch 工具對(duì)模具的數(shù)量或位置沒有限制;它可以適應(yīng)任何 DBC 尺寸或配置,它可以獨(dú)立壓制最薄和最小的模具,即使它們彼此非常接近。

2022-02-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 3695 0

淺談功率半導(dǎo)體燒結(jié)貼片技術(shù)

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銀 (Ag)/銅 (Cu) 壓力燒結(jié)(見圖 1)是一種應(yīng)用于粉末材料(即納米顆粒)的熱處理工藝,以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。

2021-11-12 標(biāo)簽:熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3351 0

電動(dòng)車用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。

2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 2606 0

SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高,將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局

Yole Development 的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明,自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來,應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高,目前已達(dá)到150℃。

2020-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)CISSOID 1918 0

可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案

風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用,是該行業(yè)增長最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...

2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 5009 0

NTC溫度傳感器溫度測(cè)量解決方案解析

NTC溫度傳感器溫度測(cè)量解決方案解析

NTC上的溫度測(cè)量值大約對(duì)應(yīng)于模塊下方散熱器的溫度。NTC可用于監(jiān)視環(huán)境和冷卻條件。

2021-05-03 標(biāo)簽:溫度傳感器NTC散熱器 5826 0

什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)

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 除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。

2021-05-24 標(biāo)簽:MOSFET元器件雙極晶體管 1.5萬 0

SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗

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人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實(shí)際...

2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3508 0

ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌

ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌

功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗(yàn)證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機(jī)控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...

2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1062 0

基于功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)中的應(yīng)用研究

先驅(qū)者們?cè)诙啻蟪潭壬辖鉀Q了困擾今天設(shè)計(jì)師的諸多問題,對(duì)此作出正確的估計(jì)是有益的。在這些問題中,最大的要數(shù)能量供給的可變性。普通的蒸汽渦輪機(jī)發(fā)電廠都用四個(gè)...

2020-04-28 標(biāo)簽:電網(wǎng)發(fā)電機(jī)功率半導(dǎo)體 1229 0

5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點(diǎn)?是下一個(gè)風(fēng)口?

由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會(huì)中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...

2020-04-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.6萬 1

NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 8307 1

常用的功率半導(dǎo)體器件

常用的功率半導(dǎo)體器件

MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...

2019-10-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2613 0

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    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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