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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過...
2022-07-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開關(guān)頻率相對(duì)較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因
開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...
2022-06-02 標(biāo)簽:變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電壓 3312 0
功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè),構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來
全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學(xué)家已達(dá)成共識(shí),必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平,將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下,才能擁有一...
2022-04-22 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體能源網(wǎng)絡(luò) 6868 0
對(duì)于幾乎任何電子或電氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì),最大限度地提高電源效率非常重要。在移動(dòng)設(shè)備中,更好的電源效率可提供更長的電池壽命,這是一個(gè)關(guān)鍵賣點(diǎn)。對(duì)于基本上任何應(yīng)用...
2022-04-20 標(biāo)簽:SBR功率半導(dǎo)體 3321 0
多年來,市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求一直在增加,需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過增加給定封裝尺寸的輸出功率來實(shí)現(xiàn)的,這與系...
2022-02-22 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT功率半導(dǎo)體 3876 0
淺談功率半導(dǎo)體的燒結(jié)芯片貼裝技術(shù)
Micro-Punch 工具對(duì)模具的數(shù)量或位置沒有限制;它可以適應(yīng)任何 DBC 尺寸或配置,它可以獨(dú)立壓制最薄和最小的模具,即使它們彼此非常接近。
2022-02-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 3695 0
銀 (Ag)/銅 (Cu) 壓力燒結(jié)(見圖 1)是一種應(yīng)用于粉末材料(即納米顆粒)的熱處理工藝,以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。
2021-11-12 標(biāo)簽:熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3351 0
電動(dòng)車用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 2606 0
SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高,將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局
Yole Development 的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明,自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來,應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高,目前已達(dá)到150℃。
2020-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)CISSOID 1918 0
可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案
風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用,是該行業(yè)增長最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...
2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 5009 0
什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)
除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實(shí)際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3508 0
ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗(yàn)證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機(jī)控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1062 0
基于功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)中的應(yīng)用研究
先驅(qū)者們?cè)诙啻蟪潭壬辖鉀Q了困擾今天設(shè)計(jì)師的諸多問題,對(duì)此作出正確的估計(jì)是有益的。在這些問題中,最大的要數(shù)能量供給的可變性。普通的蒸汽渦輪機(jī)發(fā)電廠都用四個(gè)...
2020-04-28 標(biāo)簽:電網(wǎng)發(fā)電機(jī)功率半導(dǎo)體 1229 0
5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點(diǎn)?是下一個(gè)風(fēng)口?
由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會(huì)中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...
2020-04-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.6萬 1
NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱...
MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...
2019-10-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2613 0
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