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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。
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陶瓷覆銅板是在高溫,流動氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴散過程而形成的一種高導熱、高絕緣強度的復合材料,既具有陶瓷的高導熱性、高電絕緣性、高機械強度...
陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產生的熱量主要是經陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱,由三菱電機于1997年正式推向市場,迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發。
根據應用場景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發電和...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體...
GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調和工業設備的效率
GT30J65MRB用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導體器件經過業界驗證,對于節能工作意義重...
二極管是最簡單的功率器件,只允許電流在一個斱向上流動 。二極管的作用相當于電流的開關, 常用作整流器,將模擬信號轉換為數字信號,廣泛應用于功率轉換 ,無...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復合而成,兼...
【導讀】與大多數功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。 這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IG...
按照器件的導通類型分類:功率半導體分立器件可以分為開關型和線性型兩類。開關型器件通常用于電源開關、電機控制等領域,能夠實現高效的功率轉換;線性型器件則適...
功率半導體分立器件的主要工藝流程包括:在硅圓片上加工芯片(主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕),進行芯片封裝,對加工完畢的芯片進行技術性能指標測試,其中主要...
可控硅:能夠被低功率的控制信號打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關斷而不能被控制信號關斷,因此又被稱為半可控開關。
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