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標(biāo)簽 > 功率場效應(yīng)管
功率場效應(yīng)管一般指功率MOS場效應(yīng)晶體管,功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
功率MOS場效應(yīng)晶體管的種類:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導(dǎo)電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強型。
功率場效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在...
2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET功率場效應(yīng)管 1970 0
電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安...
2023-05-01 標(biāo)簽:電源功率場效應(yīng)管 1945 0
功率場效應(yīng)管是一種可控硅晶體管,它是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管,具有較低的額定電壓、較大的漏電流和較慢的開關(guān)速度等特點。
2023-02-15 標(biāo)簽:三極管晶體管功率場效應(yīng)管 1247 0
功率場效應(yīng)晶體管(VF)又稱VMOS場效應(yīng)管。在實際應(yīng)用中,它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 標(biāo)簽:晶體管功率場效應(yīng)管 2.9萬 0
功率場效應(yīng)晶體管的特點_功率場效應(yīng)晶體管的參數(shù)
MOSFET的類型很多,按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道;根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強型。功率場效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強型。
2019-10-11 標(biāo)簽:晶體管功率場效應(yīng)管 9080 0
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(FieldEffec...
2019-10-11 標(biāo)簽:晶體管功率場效應(yīng)管 1.1萬 0
直流有刷電機驅(qū)動電路 直流有刷電機驅(qū)動電路是由電子技術(shù)發(fā)展而來的一種現(xiàn)代化電氣控制方式,其能夠直接地控制電機的輸出轉(zhuǎn)速和扭矩等參數(shù),具有高效、可靠、精準(zhǔn)...
CIS(CMOS圖像傳感器)廠商:深圳比亞迪微電子有限公司簡介
深圳比亞迪微電子有限公司是比亞迪集團旗下的獨立子公司,自2003年開始致力于集成電路及功率器件的開發(fā),并提供產(chǎn)品應(yīng)用的整套解決方案。比亞迪微電子立足于自...
2021-04-02 標(biāo)簽:電流傳感器功率場效應(yīng)管 5423 0
日前,集設(shè)計,開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN...
2012-05-28 標(biāo)簽:功率場效應(yīng)管DFN3X3AON7421 2695 0
TDK大功率場效應(yīng)管組件在開關(guān)電源與D類放大器中的應(yīng)用
電路原理: 型號EA40A906的超大功率效應(yīng)全橋組件為日本TDK產(chǎn)品,得到美國UL的認(rèn)證。經(jīng)解剖,其原理如圖7-17所示。四只金封粗腳的超
2010-12-25 標(biāo)簽:開關(guān)電功率場效應(yīng)管 3910 0
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